ガルバニック絶縁型ゲートドライバーICを発表：IGBTとSiCパワーMOSFET向け

STマイクロエレクトロニクスは、デュアルチャネルのガルバニック絶縁型ゲートドライバーICとして2製品を発表した。IGBT向け「STGAP2HD」と、SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET向け「STGAP2SICD」である。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

過渡電圧6kVに対応、過渡電圧耐性は±100V/ナノ秒

　STマイクロエレクトロニクスは2022年2月、デュアルチャネルのガルバニック絶縁型ゲートドライバーICとして2製品を発表した。IGBT向け「STGAP2HD」と、SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET向け「STGAP2SICD」である。

新製品の外観 出所：STマイクロエレクトロニクス

　新製品は、最新のガルバニック絶縁技術を用いることで、過渡電圧6kVに対応する。また、過渡電圧耐性は±100V/ナノ秒で、ノイズの多い動作環境でも誤動作によるターンオンを防ぐことができるという。

　ゲート制御信号として最大4Aを生成、デュアル出力ピンで柔軟にゲートを駆動することが可能で、ターンオン／ターンオフ時間を個別に調整できる。また、アクティブミラークランプ機能により、ハーフブリッジトポロジーにおける高速スイッチングのゲートスパイクを防止する。

　この他、過熱保護や安全な動作を実現するウォッチドッグ、低電圧誤動作防止（UVLO）機能といった保護機能を備えている。さらに、専用のシャットダウン端子やブレーキ端子、スタンバイ端子なども搭載した。両製品とも定格電圧は最大1200V、入力から出力まで到達する時間は75ナノ秒と短く、精度の高いPWM制御が可能である。

　新製品は既に量産しており、SO-36Wパッケージで供給する。1000個購入時の単価は、約1.84米ドルである。評価用ボードとして「EVALSTGAP2HDM」と「EVALSTGAP2SICD」も用意した。