メディア

JX金属、ナノワイヤ関連のNanoWiredに出資：半導体実装技術なども共同開発へ

JX金属は、ドイツのNanoWiredに出資することを決めた。NanoWiredは、基板上に直径1μm以下の微細な金属ワイヤ（ナノワイヤ）を成長させる技術や製造装置を開発するスタートアップ企業である。

» 2022年07月06日 09時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

素材の提供や、JX金属製品へのナノワイヤ技術応用も視野に

　JX金属は2022年7月、ドイツのNanoWiredに出資すると発表した。NanoWiredは、基板上に直径1μm以下の微細な金属ワイヤ（ナノワイヤ）を成長させる技術や製造装置を開発するスタートアップ企業である。

　基板上にナノワイヤを成長させると、はんだなどを用いる従来の接合技術に比べ低温、短時間かつ高密度で接合することができ、高い熱伝導性と接合強度を得ることができるという。特にNanoWiredは、発熱対策や製品の信頼性を向上させるため、ナノワイヤの技術を活用したサーマルインタフェース材料や半導体実装技術の開発にも積極的に取り組んでいる。

左は金属表面に生成されたナノワイヤ、中央はナノワイヤを用いた基板間接合例、右は半導体実装におけるナノワイヤの活用例（オレンジ色の部分）出所：JX金属

　JX金属は、「2040年JX金属グループ長期ビジョン」において、技術立脚型新事業の創出を掲げており、その一環としてスタートアップ企業との協業などを進めている。JX金属では今後、ナノワイヤの成長プロセスに必要な銅箔（はく）やめっき原料などの提供、新たな半導体実装の共同開発、ナノワイヤ技術の応用などを検討していく。

「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文
今回は、VLSIシンポジウムを構成する「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文を紹介する。なお、これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介されたものだ。
Samsung、GAAを適用した3nmプロセスの生産を開始
Samsung Electronics（以下、Samsung）は2022年6月30日（韓国時間）、GAA（Gate-All-Around）トランジスタ構造を適用した3nmプロセスノードの初期生産を開始したと発表した。まずは、高性能、低消費電力コンピューティングに向けたチップに適用し、その後モバイルプロセッサにも適用していく計画だ。
TSMC、フィン構造を選べる3nmノードを発表
TSMCは、3nm FinFETノードを発表した。2022年後半に量産を開始する予定としている。同技術は、半導体設計における性能と電力効率、トランジスタ密度を向上させることができるだけでなく、これらのオプションのバランスを選択することも可能だという。
TSMCが2nmにナノシート採用、量産開始は2025年を予定
TSMCは、2025年に量産を開始する次の2nmノードの生産にナノシート技術を採用した。それにより、HPC（High Performance Computing）システムにおけるエネルギー消費の削減を狙う。
半導体製造装置1～3月販売額は前年同期比5％増
SEMIは2022年第1四半期（1～3月）の半導体製造装置（新品）販売額が247億米ドルになったと発表した。前年同期（2021年第1四半期）に比べ5％の増加、前期（2021年第4四半期）比で10％の減少である。
さらなる微細化に向けたEUV／GAA向け技術
Applied Materialsの3D GAA（3次元Gate-All-Around）トランジスタ技術とEUV（極端紫外線）リソグラフィソリューションの最新ポートフォリオは、ムーアの法則による2D（2次元）スケーリングの限界に対処するために設計された。EUVによる2Dスケーリングの拡張を熱望する半導体メーカーのために電力効率と性能、面積、コスト、市場投入までの期間（PPACt：Power efficiency, Performance, Area, Cost, and time to market）を改善することを目指している。