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SiCパワーデバイスの主戦場、車載分野の強みを示すST：electronica 2022（2/2 ページ）

» 2023年01月16日 15時30分公開

[永山準，EE Times Japan]

自社製200mm SiCウエハー公開、「垂直統合型モデル」を強調

　STはブースにおいて、200mmの自社製SiCウエハーも展示していた。同社は2021年7月、スウェーデン拠点において試作開発用の200mm SiCバルクウエハーを製造したことを発表しており、今回展示したウエハーも同拠点の研究開発（R＆D）施設で製造したものだ。なお、同社は2024年までにSiC基板の新工場を建設、SiC基板の40％以上を社内で調達するという計画を立てている。

STの200mm SiCウエハー［クリックで拡大］

　同社は2022年10月にイタリアにSiCウエハー工場を新設するとも発表、当面は150mmウエハーの製造を行うが、将来的には200mmウエハーへの移行も予定している。説明担当者は、「われわれはSiCの基板製造へ投資を拡大し、材料からデバイス、モジュールの製造まで垂直統合型の体制を強化している。スウェーデンはSiCのR＆D拠点として新世代や新材料の研究を進め、イタリアで量産を進めていく方針だ」と話していた。

　また、GaN（窒化ガリウム）デバイスについても自動車部品メーカー、マレリとの協業によるレーシングカー用燃料噴射装置のプロトタイプを展示していた。同製品はSTのGaNパワー段、GaNドライバー、保護機能を集積した車載用SiP（System in Package）「STi²GaN」をモーター制御に活用したもので、GaNの高速なスイッチング周波数（100kHz）を生かし、モーターを高効率化。通常のシリコンデバイスを利用した場合と比較し、全体の効率を5％向上できるという。

STのSTi<sup>2</sup>GaNを搭載したレーシングカー用燃料噴射装置のプロトタイプ。手前がインバーターボード（2×5cm）

STのSTi²GaNを搭載したレーシングカー用燃料噴射装置のプロトタイプ。手前がインバーターボード（2×5cm）［クリックで拡大］

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