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キオクシアら、218層の3次元フラッシュメモリ発表：第8世代の「BiCS FLASH」製品

キオクシアとウエスタンデジタルは2023年3月、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の第8世代品（218層）を発表した。スケーリングとウエハーボンディング技術を用い、大容量で高い性能、低コストを実現した。

» 2023年04月03日 15時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

前世代品に比べ、ビット密度の向上と高速なNAND I/Oを実現

　キオクシアとウエスタンデジタルは2023年3月30日、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の第8世代品（218層）を発表した。スケーリングとウエハーボンディング技術を用い、大容量で高い性能、低コストを実現した。

　新製品は、4プレーン動作の1TビットTLC（トリプルレベルセル）を使用した品種と、同QLC（クワッドレベルセル）を使用した品種の2種類を用意している。CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術とスケーリング技術を採用することで、前世代品に比べ、ビット密度は50％以上も向上したという。また、NAND I/O速度は60％も向上し、3.2Gビット/秒以上を達成した。さらに20％の書き込み性能と読み出しレイテンシの改善を行った。

　新製品は、スマートフォンからIoT機器、データセンターまで、幅広い用途に提案していく。既に特定顧客向けには製品サンプルの供給も始めているという。

2nm世代の国産化へ、国内8社出資の製造会社Rapidus始動
経済産業省は2022年11月11日、2nmプロセス以下の次世代半導体の製造基盤確立に向けた研究開発プロジェクトの採択先を、ソニーグループやキオクシアなど国内8社の出資で設立した半導体製造企業Rapidus（ラピダス）に決定したと発表した。
NANDフラッシュの市況は厳しいが「投資の手は絶対に緩めない」
2022年10月26日、キオクシアの四日市工場（三重県四日市市）に完成した第7製造棟（Y7棟）の竣工式が開催された。同日には、竣工式とともに記者説明会も開催され、キオクシア代表取締役社長の早坂伸夫氏と、同社常務執行役員四日市工場長松下智治氏が、報道機関からの質問に答えた。
キオクシア四日市工場第7製造棟で量産を開始
キオクシアとWestern Digital（WD）は2022年10月26日、キオクシアの四日市工場（三重県四日市市）に完成した第7製造棟（Y7棟）の竣工式を開催した。今回完成した部分は第1期分にあたり、2021年2月に着工、2022年4月に完成した。投資総額は1兆円規模となった。Y7棟の完成により、四日市工場全体の生産能力は従来の1.3倍に増強される。
E1.Sフォームファクター採用のNVMe SSDを開発
キオクシアは、エンタープライズ＆データセンター向けSSDフォームファクター（EDSFF）「E1.S」を採用したNVMe SSD「KIOXIA XD7Pシリーズ」を開発、評価用サンプル品の出荷を始めた。ハイパースケールデータセンターやエンタープライズサーバなどの用途に向ける。
56GbpsのPAM4信号に対応するトランシーバー開発
キオクシアは、56Gビット/秒のPAM4信号を送受信できる「トランシーバー」を開発し、その動作実証に成功した。今回の成果を活用し、消費電力が40W以下で容量5Tバイト以上、帯域64Gバイト/秒以上というメモリモジュールの開発を目指す。
「組み込みメモリとメモリカードの中間」、キオクシアの新ストレージ製品
キオクシアはドイツ・ニュルンベルクで開催された組み込み技術の展示会「embedded world 2022」（2022年6月21～23日）に出展し、「業界初」（同社）とする「XFM DEVICE（XFMD） Ver.1.0」規格準拠のリムーバブルストレージデバイス「XFMEXPRESS XT2」のデモを展示した。