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富士電機とデンソーがSiCパワー半導体生産強化で協業、2116億円投資：政府が最大705億円助成

富士電機とデンソーは2024年11月29日、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体に関する投資および製造連携を行うと発表した。2116億円を投じてSiCパワー半導体の国内における生産能力を強化する計画で、経済産業省が最大705億円を補助する。

» 2024年11月29日 17時26分公開

[永山準，EE Times Japan]

　両社が共同申請した「半導体の供給確保計画」が同日、経済産業省に認定された。富士電機は松本工場（長野県松本市）の生産能力を強化し、2027年5月からSiCパワー半導体を年間31万枚（8インチウエハー換算）、SiCエピタキシャルウエハーを年間24万枚（同）生産。デンソーは2026年9月から、愛知県幸田町の工場でSiCエピタキシャルウエハーを年間10万枚（同）、三重県いなべ市の工場でSiCウエハーを年間6万枚（同）生産する計画だ。

　両社は、「今後、車載分野における両社の製品開発力と生産技術力を生かし、広く国内のSiCパワー半導体の効率的かつ安定的な供給能力拡大に向けて連携していく」と説明している。

「業界初」中国SICCが300mmのSiC基板を発表
中国のSiC基板メーカーSICCが、「業界初」となる300mmのSiC基板を開発した。ドイツ・ミュンヘンで開催された欧州最大級のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」および併催された「SEMICON Europa 2024」で発表した。
新幹線「N700S」の省エネに貢献するSiCパワー半導体を展示、富士電機
富士電機は、「第1回パワーデバイス＆モジュール EXPO」（2024年1月24～26日／東京ビッグサイト）に出展し、新幹線の省エネ化目的で使用されているSiC（炭化ケイ素）パワー半導体やxEV（電動車）用IGBTモジュールの分解／組み立てサンプルを展示した。
レゾナック、Soitecと8インチSiC貼り合わせ基板を共同開発へ
レゾナックは2024年9月24日、半導体基板材料を製造するフランスのSoitecと、パワー半導体に使用される8インチSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーの材料となるSiC貼り合わせ基板に関する共同開発契約を締結したと発表した。
2023年SiCパワーデバイス世界売上高ランキング、首位はST
市場調査会社のTrendForceはSiCパワーデバイス市場についての調査を発表した。それによると、2023年の市場シェアはSTMicroelectronicsが32.6％を占めて首位となり、onsemiは23.6％で前年の4位から2位に浮上した。続くInfineon Technologies、Wolfspeed、ロームを含めた上位5社が総売上高の91.9％を占めていたという。
第3世代SiC-MOSFET搭載車載モジュールなど、富士電機
富士電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10～12日、ドイツ）に出展、産業、自動車分野向けの第7世代IGBTおよびSiC（炭化ケイ素）搭載パワーモジュールなどを展示した。
富士電機、津軽工場でのSiCパワー半導体設備投資を決定
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