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NVIDIA提唱の800V直流AIデータセンター電力供給、ルネサスがGaNで対応：爆発的な電力需要に応える

ルネサスエレクトロニクスは、窒化ガリウム（GaN）電源ソリューションを用意し、NVIDIAが提唱する800V直流電源アーキテクチャに対応していくと発表した。

» 2025年10月22日 09時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

変換効率と電力密度が高いDC-DC変換を実現

　ルネサスエレクトロニクスは2025年10月、窒化ガリウム（GaN）電源ソリューションを用意し、NVIDIAが提唱する800V直流電源アーキテクチャに対応していくと発表した。

　AI処理の需要が急拡大するデータセンターでは、電力消費が数百メガワット規模に達している。このため、データセンターの電力供給網を構築するに当たっては、高いエネルギー変換効率や柔軟な拡張性が求められている。ここで注目されているのが、高速スイッチングや低損失、優れた熱特性といった特長があるGaNなどのワイドバンドギャップ半導体だ。

　ルネサスが提供するGaN電源ソリューションは、動作電圧が48～400Vと幅広い。これを複数個用いれば、最大800Vまでのスタック構成が可能になる。これにより、効率と電力密度が高いDC-DC変換を実現できるという。LLC直流トランス（LLC DCX）トポロジーに基づくDC-DCコンバーターの変換効率は最大98％だという。

　AC-DCフロントエンドでは、ルネサスが提供する双方向GaNスイッチを用いることで、整流回路の設計を簡素化でき、電力密度を向上できる。さらに、MOSFETやドライバーIC、コントローラーを組み合わせれば、より高性能なDC-DCコンバーターを設計できるという。

NVIDIAが提唱する800V直流電源アーキテクチャに対応したGaN電源ソリューションの外観［クリックで拡大］出所：ルネサス

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