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トレンチ型SiC-MOSFETチップをサンプル提供、三菱電機：電力損失はプレナー型のほぼ半分

三菱電機が、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」4品種を開発し、2026年1月21日からサンプル品の出荷を始める。電気自動車（EV）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、大陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどの用途に向ける。

» 2026年01月19日 15時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

EV用トラクションインバーターなどの低消費電力化に貢献

　三菱電機は、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」4品種を開発し、2026年1月21日からサンプル品の出荷を始めると発表した。電気自動車（EV）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、大陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどの用途に向ける。

　新製品は定格電圧が750Vで、オン抵抗が20mΩの「WF0020P-0750AA」、40mΩの「WF0040P-0750AA」、60mΩの「WF0060P-0750AA」、80mΩの「WF0080P-0750AA」という4品種だ。

　従来のトレンチ型SiC-MOSFETチップと同様に、独自の構造を採用した。この結果、プレナー型SiC-MOSFETに比べ、オン抵抗を低減。また、斜め方向からイオン注入を行う構造を採用したことでスイッチング損失を抑えた。

　これらの技術により、電力損失はプレナー型のほぼ半分となった。さらに、独自のゲート酸化膜製法を用いることで、品質の長期安定性を実現している。サンプル価格は個別見積もり。

トレンチ型SiC-MOSFETを作り込んだウエハーとチップのイメージ図［クリックで拡大］出所：三菱電機

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