トランスフォームがGaN評価ボードを一挙に展示、10月から日本で量産も：TECHNO-FRONTIER 2014（2/2 ページ）
» 2014年08月04日 10時00分 公開
[村尾麻悠子，EE Times Japan]
2014年10月に量産開始予定
横浜市に本社を構えるトランスフォーム・ジャパンは、福島県会津若松市にも事業所を置き、そこで製造技術管理や品質保証・試験、研究開発を行っている。同社は2014年10月にもGaNパワーデバイスの量産を開始する予定だ。ウエハー工程は富士通セミコンダクターの会津若松工場（6インチライン）を利用し、パッケージングは外部に委託する。販売は富士通エレクトロニクス（FEI）、UKCエレクトロニクス、飯田通商を通じて行う。
Transphormおよびトランスフォーム・ジャパンが提供するGaN HEMTは耐圧600V品である。「GaNパワーデバイスでは、耐圧600V品がSiパワーデバイスに比べて最も有意性を発揮できるところであり、それ故市場も大きい。さらに、当社のGaNパワーデバイスは、米国の電子部品関連標準化団体であるJEDECの認証を受けている点も評価されている」（トランスフォーム・ジャパン）。
日本法人を設立したことで、Transphormは日本国内の顧客を手厚くサポートできる。トランスフォーム・ジャパンの担当者は「やはり日本語でやり取りできるというのは、顧客に対して大きなアピールポイントになる」と述べ、国内に拠点を置くことの重要性を強調した。
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