足かけ20年、SiCパワーデバイス開発のこれまでとこれから：三菱電機 研究開発成果披露会（2/2 ページ）

[馬本隆綱，EE Times Japan]

低炭素社会の実現に向けて

　SiCパワー半導体を搭載したインバータの開発も同時に進め、電力損失を大幅に低減できることを実証してきた。例えば、3.7kWフルSiCインバータの場合、電力損失はシリコンベースの製品に比べて50％低減することができた。同様に11kW製品では70％減、20kW製品では90％の削減を達成したという。実用ベースでは、SiC-SBDとシリコンベースのIGBTを組み合わせたハイブリッドSiCパワーモジュールなども提供している。

SiCパワー半導体を搭載したインバータで電力損失を大幅に低減できることを実証 （クリックで拡大）

　研究開発成果披露会の会場には、SiCパワー半導体およびモジュールなどを搭載した機器あるいは試作品もいくつか紹介した。例えば、ルームエアコン用室外機や数値制御装置対応ドライブユニット、EVモータドライブシステム、国内住宅用パワーコンディショナである。

ハイブリッドSiCパワーモジュールとそれを搭載したルームエアコン用室外機（左）、および数値制御装置対応ドライブユニット（右）の外観 （クリックで拡大）

フルSiCパワーモジュールを搭載したEVモータドライブシステム（左）、およびフルSiC-IPM搭載の国内住宅用パワーコンディショナ（右）の外観 （クリックで拡大）

　今後の取り組みについては、省エネ化などによる低炭素社会の実現に向けて、半導体チップのさらなる高耐圧化と低損失化、あるいは低価格化に取り組みつつ、適用範囲の拡大を進めていく方針だ。