村田の高周波マッチング素子、シリコンラボ製向け：IoT向けサブギガ無線回路設計を簡素化

村田製作所は、Silicon Laboratories製トランシーバICと組み合わせて使う高周波マッチングデバイスを開発し、2015年10月より量産を開始する。サブギガヘルツ帯の無線通信機能を搭載するIoT（モノのインターネット）機器などに向ける。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

　村田製作所は2015年9月、Silicon Laboratories（以下、シリコンラボ）製トランシーバICと組み合わせて使う高周波マッチングデバイスを開発し、2015年10月より量産を開始する。サブギガヘルツ帯の無線通信機能を搭載するIoT（モノのインターネット）機器などに向ける。

　新製品の高周波マッチングデバイス「LFD21891MMF3D931」は、シリコンラボ製トランシーバIC「Si4461」（868MHz）に最適化したインピーダンス回路を、外形寸法が2.0×1.25mmのセラミックパッケージに内蔵した。厚みは最大0.7mmである。無線通信に必要となるインピーダンス回路はすべて内蔵しており、ディスクリート部品で回路を構成した場合に比べて、部品点数を大幅に節減できるとともに、基板への実装面積を75％も削減することができるという。

シリコンラボ製トランシーバIC向け高周波マッチングデバイスの外観

　サブギガヘルツ帯を使った無線通信は、近距離無線ネットワークや無線LANなどで注目されており、センサーネットワークや家庭用電子機器、玩具などへの応用が期待されている。こうした応用機器を開発する企業の中には、無線回路を搭載したシステムを開発するにあたり、十分な知識や設計の経験を持ち合わせていない場合も多い。端子の配置なども考慮されており、シリコンラボ製トランシーバICと村田製作所の高周波マッチングデバイスを組み合わせて用いることで、システム開発者は無線回路の設計負荷を軽減/簡素化することができるという。