トレックス、米国シリコンバレーに開発拠点開設：次世代アナログ電源ICの研究開発を加速

トレックス・セミコンダクターは、次世代アナログ電源ICの研究開発を強化するため、米国・シリコンバレーにR＆Dセンターを開設する。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

2016年4月開設予定

　トレックス・セミコンダクターは2016年1月、米国・シリコンバレーにR＆Dセンターを開設すると発表した。次世代アナログ電源ICの研究開発を強化する。

　同社の米R＆Dセンター開設は2016年4月を予定している。これに先駆けて、すでにTOREX USAでは、先行開発のためのマーケティング活動を始めた。シリコンバレーは半導体・コンピュータ関連の技術開発で、常に世界をリードし続けてきた。ここに研究開発拠点を設けることで、付加価値の高いアナログ電源ICの開発を加速するとともに、北米での事業を拡大していくことを狙いとする。

国内エンジニアを交代で駐在させ技術力底上げ

　R＆Dセンターには、エキスパートエンジニアを駐在させるとともに、優秀な技術者の現地採用も含めて人員の拡充を行っていく。また、国内のエンジニアを交代でR＆Dセンターに駐在させることで、トレックスグループにおける技術水準の底上げを図っていく。さらに、他社との協業なども一段と強化していく方針である。

　同社は、高効率アナログ電源ICと電源設計ソリューションを提供している。同社の製品は産業機器やカーアクセサリー製品、通信機器、PC、ウェアラブル機器などに搭載されている。