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一度消えたPCMが「3D XPointメモリ」で劇的にカムバック：福田昭のストレージ通信（147）半導体メモリの技術動向を総ざらい（8）（2/2 ページ）

» 2019年06月03日 10時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

10年以上の歳月をかけて開発された「3D XPointメモリ」

　「3D XPointメモリ」について公式に発表された情報はあまり多くない。メモリセルアレイは2層の3次元クロスポイント構造であること、メモリセルは1個の記憶素子と1個のセレクタ（セル選択スイッチ）を積層した構造であること、シリコンダイの記憶容量は128Gビットであること、10年を超える歳月をかけて共同開発したこと、くらいである。現在に至るも、128Gビット・チップの要素技術が国際学会で本格的に発表されたことはない。

　一方でシリコンダイを元素分析する技術を備えた調査会社TechInsigtsにより、IntelのHDDキャッシュ製品から取り出した128Gビット「3D XPointメモリ」チップの解析結果が2017年8月のフラッシュメモリサミット（FMS）で発表された。製造技術は20nmのCMOS技術と1層多結晶シリコン配線技術、5層金属配線技術（クロスポイントのワード線とビット線を除く）である。クロスポイント構造のメモリセルアレイは、第4層金属配線と第5層金属配線の間に作り込まれた。

「3D XPointメモリ」の概要。開発企業であるIntelとMicron Technologyが公式に発表した情報以外に、他社が分析した情報を含んでいる。出典：MKW Venture Consulting, LLC

　シリコンダイ面積は206.5mm²（16.16mm×12.78mm）とかなり大きく、メモリセル面積は0.0015μm²と小さい。メモリセルの記憶素子はPCM、セレクタはOTS（Ovonic Threshold Switch）であること、PCMの材料はGeSbTeSi（組成は0.12：0.29：0.54：0.05）、OTSの材料はSeAsGeSi（組成は0.44：0.29：0.10：0.17）であることも明らかになった。

（次回に続く）

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