メディア
ニュース
» 2021年08月16日 10時30分 公開

キオクシア、UFS Ver3.1準拠のフラッシュメモリ256GB/512GB品をサンプル出荷

キオクシアは、UFS Version 3.1インタフェースに準拠した組み込み式フラッシュメモリとして、容量が256Gバイト品と512Gバイト品を開発、サンプル出荷を始めた。薄型パッケージを採用しつつ、ランダムリード/ライトの性能を大幅に向上させた。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

薄型パッケージを採用し、ランダムアクセス性能を向上

 キオクシアは2021年8月、UFS(Universal Flash Storage) Version 3.1インタフェースに準拠した組み込み式フラッシュメモリとして、容量が256Gバイト品と512Gバイト品を開発、サンプル出荷を始めた。薄型パッケージを採用しつつ、ランダムリード/ライトの性能を大幅に向上させた。

 新製品は、ハイエンドスマートフォンなど機器の薄型化に対応した。パッケージの厚みは256Gバイト品で0.8mm、512Gバイト品で1.0mmを実現している。しかも、第5世代となる3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」技術を採用。これにより、同社従来製品に比べ、ランダムリード性能を約30%、ランダムライト性能を約40%、それぞれ向上させた。

 また、UFS Version 3.1の拡張仕様であるHPB(Host Performance Booster) Ver.2.0機能を搭載。ホスト側のメモリを活用し、論理/物理アドレス交換テーブルを保存することによって、これまでより幅広いアクセスが可能になり、ランダムリード性能を改善できるようになったという。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.