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onsemiが縦型GaNパワー半導体開発、700Vと1200V品をサンプル提供：GaN-on-GaN技術で攻める（2/2 ページ）

» 2025年10月30日 20時06分公開

[永山準，EE Times Japan]

横型と比べサイズは3分の1に、高出力用途に理想的

　今回onsemiが発表した技術は、モノリシックダイ上で1200V以上の高電圧を扱いながら、高周波／大電流スイッチングを高効率で実現するよう設計されたデバイスだ。同社によると同技術を用いたハイエンド電力システムは、損失を約50％削減し、高周波動作によりコンデンサーやインダクターなどの受動部品も同程度に小型化できるとしている。また、市販の横型GaNデバイスと比較し、同社の縦型GaNデバイスは約3分の1のサイズとなっていて「こうした特長から縦型GaNは電力密度、熱特性、信頼性が重視される重要な高出力用途に理想的だ」としている。

縦型GaNの構造［クリックで拡大］出所：onsemi

　onsemiは既に700Vおよび1200Vのデバイスをアーリーアクセス顧客向けにサンプル提供中だという。

シリコンとSiC、GaNの特性および、縦型GaNの特性について［クリックで拡大］出所：onsemi

24年のGaNデバイス市場、シェア1位は中国　トップ5に日本勢なし
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
2022年内にGaN-on-GaNデバイスを市場投入、NexGen
米NexGen Power Systems（以下、NexGen）は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10～12日、ドイツ）に出展し、GaN（窒化ガリウム）基板上にGaN層を形成する縦型GaNデバイス「Vertical GaN」などを紹介した。同社製品は2022年第4四半期にノートPCのAC-DCアダプター用途で出荷される予定だ。また、今後、数四半期以内に車載DC-DCコンバーターやオンボードチャージャー向けに耐圧1200Vのデバイスも出荷を開始する予定だという。
MIT発の縦型GaN新興が1100万ドル調達、信越化学工業らが出資
米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業Vertical Semiconductorが、縦型窒化ガリウム（GaN）トランジスタ開発に向け、1100万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルのPlayground Globalが主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。
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Power Integrationsが縦型GaN新興メーカーの資産を買収
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縦型GaNパワー半導体のブレークスルーに、新技術の詳細と展望
省エネ化／低炭素社会のキーデバイスとして注目されるGaN（窒化ガリウム）を用いたパワー半導体。OKIと信越化学工業のタッグが、その本格的な普及のための課題解決につながる新技術を開発した。同技術の詳細や開発の経緯、今後の展望を聞いた。

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