先端パッケージのマスクレス露光に 高出力半導体レーザー：微細化と生産効率向上に貢献

ヌヴォトン テクノロジーは、出力1.0Wの紫外（379nm）半導体レーザーの量産開始を発表した。半導体レーザーでは難しいとされていた「短波長」「高出力」「長寿命」を実現したもので、先端パッケージング向けのマスクレス露光の微細化や生産スループット向上に貢献するという。

[浅井涼，EE Times Japan]

　ヌヴォトン テクノロジー（以下、ヌヴォトン）は2026年1月16日、出力1.0Wの紫外（379nm）半導体レーザーの量産開始を発表した。独自のデバイス構造と高放熱パッケージ技術を組み合わせることで、半導体レーザーでは難しいとされていた「短波長」「高出力」「長寿命」を実現したものだ。

　同製品は、先端パッケージング向けのマスクレス露光の微細化や生産スループット向上に貢献するという。

ヌヴォトンが発表した半導体レーザー［クリックで拡大］ 出所：ヌヴォトン テクノロジー

1.0Wの高出力、放熱性向上で光学装置の長寿命化も

　同製品の開発の背景にあるのは、半導体パッケージング技術の進展だ。昨今、AIの進化などに伴って高度な情報処理を行える半導体の需要が拡大している。微細化による高性能化が物理的な限界に近づく中で、3次元（3D）パッケージングやチップレットといった先端パッケージング技術への期待が高まっている。

　今回の新製品は、先端パッケージングにおける配線回路パターン形成をターゲットとしたものだ。

　配線回路パターン形成の露光技術には、フォトマスクと水銀灯を用いる従来のフォトマスク露光と、フォトマスクを用いずに半導体レーザーで所望のパターンを描画するマスクレス露光がある。マスクレス露光はフォトマスクの設計／製造／管理コストがかからないほか、基板のそりやひずみにも対応しやすく、環境負荷の高い水銀灯も使用せずに済むというメリットがある。一方で、微細化や生産スループットの向上には半導体レーザーの短波長化と高出力化が課題となっていた。

配線回路パターン形成の露光技術［クリックで拡大］ 出所：ヌヴォトン テクノロジー

　ヌヴォトンの新製品は、そうした課題に対応したものだ。同社の40年以上にわたるレーザー設計／製造のノウハウを生かし、波長は379nm帯と短波長ながら、1.0Wの高出力を実現している。また、独自のデバイス構造で光電力変換効率を高めて発熱を抑え、パッケージも材料選定などの工夫で放熱性を高めている。これによって、光学装置の長寿命化も期待できるという。

ヌヴォトンの半導体レーザーの特徴［クリックで拡大］ 出所：ヌヴォトン テクノロジー

ヌヴォトン独自のデバイス構造とパッケージ技術［クリックで拡大］ 出所：ヌヴォトン テクノロジー

　同製品は、半導体レーザーとして業界標準の形状であるCANパッケージ（直径9mm）で提供。2026年3月から量産を開始する。2026年1月20〜24日に米国サンフランシスコで開催される「SPIE Photonics West」、同年4月22〜24日にパシフィコ横浜で開催される「OPTICS & PHOTONICS International Exhibition（OPIE）」でも詳細を展示予定だ。