サムスン電子、DDR4メモリの量産を開始：メモリ/ストレージ技術

Samsung Electronics（サムスン電子）は、4GビットDRAMをベースにしたDDR4メモリモジュールの量産を開始した。20nmのプロセスを適用していて、2.667Gビット/秒の転送速度を実現している。

» 2013年09月03日 10時47分公開

[Peter Clarke，EE Times]

　Samsung Electronicsは、4GビットDRAMをベースにしたDDR4メモリの量産を開始したと発表した。16Gバイト/32GバイトのDDR4モジュールとして提供する。DDR4メモリは、20nmプロセスを適用し、転送速度は2.667Gビット/秒。20nmクラスのプロセスのDDR3に比べて、25％の高速化と30％の低消費電力化を実現している。まずは、データセンターのエンタープライズサーバ向けに提供する。

　Samsungによれば、今後は、現在主流となっている30nmプロセスの8GバイトDDR3モジュールが、20nmプロセスの16Gバイト/32GバイトDDR4モジュールに置き換わっていくという。

　DDR4は、米国の電子部品関連標準化団体「JEDEC Solid State Technology Association」（旧JEDEC：電子機器技術評議会）が策定した、シンクロナスDRAM向けDDRインタフェースの最新版である。

　Samsungでメモリ担当エグゼクティブバイスプレジデントを務めるYoung-Hyun Jun氏は、「当社は2013年初めに、最高性能を実現した16GバイトのDDR3をタイムリーに投入している。引き続き同年中に、価値あるサーバ市場をさらに拡大していきたいと考えている。32GビットのDDR4に関しては、さらなる高密度化と性能向上の実現に向けて取り組んでいるところだ」と述べている。