Intelの14nm世代CPU「Core M」、厚さ9mmのタブレットが実現可能に：プロセス技術（2/2 ページ）

[Rick Merritt，EE Times]

プロセス技術で他社を大きくリード

　Bohr氏は、14nmプロセス製品の出荷が1年近く遅れているにもかかわらず、プロセス技術では他社を大きくリードしていると主張する。「他社が第1世代のFinFETを出荷する前に、当社は既に第2世代のFinFETの出荷に向けて準備を進めている」（同氏）。従来のプレーナ構造のトランジスタでは「他社は高密度化には優れていたが、市場投入は当社よりも遅かった」と述べる。

Intelと競合他社のプロセス技術を比較したもの。プロセスルールの移行の予想を表わしている

　Intelは、14nmプロセスを用いたスマートフォン向けSoC（System on Chip）や、Broadwellがx86ベースのタブレット端末やノートPCの販売にもたらす影響については特に言及しなかった。

フィン間隔を22nmプロセスよりも狭めることでダイサイズを縮小し、ダブルパターニングによるコスト増を相殺する

22nmプロセスと14nmプロセスのトランジスタを顕微鏡で比較している

「Haswell」（左）と「Broadwell」の比較。Broadwellは、Haswellに比べて面積は50％減、高さは30％減となる

【翻訳：青山麻由子、編集：EE Times Japan】

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