メディア

Intelの14nm世代CPU「Core M」、厚さ9mmのタブレットが実現可能にプロセス技術(2/2 ページ)

» 2014年08月18日 15時00分 公開
[Rick MerrittEE Times]
前のページへ 1|2       

プロセス技術で他社を大きくリード

 Bohr氏は、14nmプロセス製品の出荷が1年近く遅れているにもかかわらず、プロセス技術では他社を大きくリードしていると主張する。「他社が第1世代のFinFETを出荷する前に、当社は既に第2世代のFinFETの出荷に向けて準備を進めている」(同氏)。従来のプレーナ構造のトランジスタでは「他社は高密度化には優れていたが、市場投入は当社よりも遅かった」と述べる。

Intelと競合他社のプロセス技術を比較したもの。プロセスルールの移行の予想を表わしている

 Intelは、14nmプロセスを用いたスマートフォン向けSoC(System on Chip)や、Broadwellがx86ベースのタブレット端末やノートPCの販売にもたらす影響については特に言及しなかった。

フィン間隔を22nmプロセスよりも狭めることでダイサイズを縮小し、ダブルパターニングによるコスト増を相殺する
22nmプロセスと14nmプロセスのトランジスタを顕微鏡で比較している
「Haswell」(左)と「Broadwell」の比較。Broadwellは、Haswellに比べて面積は50%減、高さは30%減となる

【翻訳:青山麻由子、編集:EE Times Japan】

前のページへ 1|2       

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.