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160lm超の高光束を実現したGaN on Si技術による白色LEDを量産：LED/発光デバイス

東芝は2015年2月3日、シリコン（Si）ウエハー上に窒化ガリウム（GaN）を結晶成長させる「GaN on Si技術」を用いて、160lm（ルーメン）を超える光束を実現した3.5mm角レンズパッケージの照明用白色LED「TL1L4シリーズ」の量産を開始した。

» 2015年02月04日 13時00分公開

[EE Times Japan]

「業界トップクラスの光束」

　東芝は2015年2月3日、シリコン（Si）ウエハー上に窒化ガリウム（GaN）を結晶成長させる「GaN on Si技術」を用いて、160lm（ルーメン）を超える光束を実現した3.5mm角レンズパッケージの照明用白色LED「TL1L4シリーズ」の量産を開始した。東芝では、「業界トップクラスの高い光束を実現した」としている。

　量産を開始した白色LEDは、常温動作時に160～170lmの高光束を実現。常温で160lm/Wの発光効率を達成すると共に、周囲温度85℃での動作電流を1Aまで可能とした。「従来製品『TL1L3シリーズ』と比較して、同85℃で60％以上の光束値の改善を実現している」（東芝）。

高効率パワー白色LED｢TL1L4シリーズ」

　電気的/光学的特性は、実際の使用を想定した動作条件（順電流350mA、接合部温度85℃）で選別を行い、順電流絶対最大定格は1.5A（周囲温度55℃未満、接合部温度150℃以下）となっている。カラーラインアップとしては2700Kから6500Kまでの全9色をそろえ、LED電球をはじめベースライト、ダウンライト、街路灯、投光器などの用途へ展開する。

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GaN | LED | 白色LED | 東芝 | LED/発光デバイス（エレクトロニクス）

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