ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（10）～PVTコーナーの増加がタイミング解析を難しくする：福田昭のデバイス通信（21）（2/2 ページ）

» 2015年04月21日 08時00分公開

[福田昭，EE Times Japan]

微細化でレイアウト依存効果が強まる

　先ほど述べたように動作周波数あるいは遅延時間は、マスクレイアウトの形状によっても変化する。その1つに、レイアウト依存効果（LDE：Layout Dependent Effect）がある。現行の量産世代である28nm世代では、例えばウェル近接効果（WPE：Well Proximity Effect）や拡散長（LOD：Length of Diffusion）などが問題になっている。

　研究開発段階にある7nm世代のマスクレイアウト設計では、レイアウト依存効果がさらに強まる。WPEやLODなどの影響はレイアウトの制約によって減少するものの、リソグラフィや寄生素子などの影響が強まると予測される。

28nm世代と7nm世代におけるレイアウト依存効果（LDE：Layout Dependent Effect）（クリックで拡大）出典：ARM

（次回に続く）

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