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» 2015年04月21日 08時00分 公開

ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(10)〜PVTコーナーの増加がタイミング解析を難しくする福田昭のデバイス通信(21)(2/2 ページ)

[福田昭,EE Times Japan]
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微細化でレイアウト依存効果が強まる

 先ほど述べたように動作周波数あるいは遅延時間は、マスクレイアウトの形状によっても変化する。その1つに、レイアウト依存効果(LDE:Layout Dependent Effect)がある。現行の量産世代である28nm世代では、例えばウェル近接効果(WPE:Well Proximity Effect)や拡散長(LOD:Length of Diffusion)などが問題になっている。

 研究開発段階にある7nm世代のマスクレイアウト設計では、レイアウト依存効果がさらに強まる。WPEやLODなどの影響はレイアウトの制約によって減少するものの、リソグラフィや寄生素子などの影響が強まると予測される。

photo 28nm世代と7nm世代におけるレイアウト依存効果(LDE:Layout Dependent Effect)(クリックで拡大) 出典:ARM

次回に続く

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周波数 | 設計 | 回路 | 電源 | ARM | LSI | 福田昭のデバイス通信


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