メディア

600億円の投資を始めるローム、SiCでトップ狙う：6インチウエハーへの移行も開始（2/2 ページ）

» 2018年04月12日 10時30分公開

[松本貴志，EE Times Japan]

ローム・アポロの筑後⼯場に新棟を建設

　この投資の一環として、同社子会社であるローム・アポロの筑後⼯場に前工程を担当する新棟を建設する。「ロームも久しぶりに国内で新棟を建てる」（東氏）として、建屋は2019年2月に着工し、2020年12月の竣工を目指す。その後、製造装置設置や設備工事を行い、実際の製造ライン立ち上げは2021年中、本格稼働は2022年以降を予定している。

ローム・アポロ筑後⼯場に建設する新棟出典：ローム

　この新棟の製造ラインは6インチウエハー対応で建設され、使用する製造装置も6インチおよび8インチウエハー対応モデルを採用する。同社パワーデバイス生産本部統括部長の伊野和英氏は「ここ2年間で市場の伸びが想定よりも速く進んでおり、4インチ（ウエハー）のまま製造していては供給が間に合わない」として、同社ではSBD（ショットキーバリアダイオード）の製造を2018年度内に6インチウエハーに完全移行、MOSFETは2018年度下期からの移行を開始するという。

MOSFETが形成された4インチウエハーとSBDが形成された6インチウエハー

“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
ロームはパワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させている。パワーデバイス市場では、後発のローム。なぜ、後発ながら、自動車や産業機器などの領域でビジネスを獲得できているのか。ローム役員に聞いた。
パワー半導体市場、2030年に4兆6000億円台へ
富士経済は、2030年までのパワー半導体市場を予測した。SiC（炭化ケイ素）／GaN（窒化ガリウム）パワー半導体は、情報通信機器分野を中心に引き続き需要が拡大する。これに加え今後は、エネルギー分野や自動車・電装システム分野での伸びが期待される。
次世代半導体材料、2023年に153億円規模へ
SiC（炭化ケイ素）などワイドバンドギャップ半導体単結晶の国内市場（メーカー出荷金額）は、2017年の約96億円に対し、2023年は約153億円に拡大する見通しとなった。
ロームとSemikron、SiCデバイスの国内販売で協力
ロームとSemikron（セミクロン）は2017年2月27日、日本におけるSiC（シリコンカーバイト）パワーデバイス、モジュールの販売協力を開始すると発表した。両社の技術を組み合わせることで、市場ニーズに合ったパワーソリューションの提供を可能にするという。
パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く
富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。特に中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。
6インチSiCの量産化は2017年？ GaNはどうなる
富士経済は、次世代パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。SiCは、6インチ基板への移行が進まず、本格的な量産は2017年以降にずれ込む可能性があるという。GaNは、量産化へのハードルが低くなり、耐圧600Vから1200Vクラスの領域で需要が増加するとした。