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imecが研究中のシリコンフォトニクス・プラットフォーム：福田昭のデバイス通信（146） imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術（6）（2/2 ページ）

» 2018年05月11日 10時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

SOIウエハーのシリコン層に各種の光回路を作り込む

　シリコンフォトニクスが使うウエハーはバルクではなく、二酸化シリコン層を埋め込んだSOI（Silicon On Insulator）ウエハーである。CMOSロジックの高速デジタル回路と、フォトニクスに特有の光回路をシリコン層に作り込む。シリコンの光導波路、シリコンの回折格子型光ファイバー結合器、Ge（あるいはSi）の光検出器、GeSiの電界吸収型変調器、シリコンのpn接合によるキャリア空乏型変調器、金属配線層によるヒーター（加熱回路）などである。

　直径が200mmのシリコンウエハーを扱うシリコンフォトニクスのCMOSロジックは90nm／130nmの製造技術、直径が300mmと大きなシリコンウエハーを扱うシリコンフォトニクスのCMOSロジックは28nm以下の製造技術を使う。

SOIウエハーに形成する主な光回路の断面構造。出典：imec（クリックで拡大）

（次回に続く）

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