次世代パワー半導体材料、今後の注目は酸化ガリウム？：EE Times Japan Weekly Top10

EE Times Japanで先週（2013年6月16日〜6月22日）に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!

[EE Times Japan]

→「EE Times Japan Weekly Top10」バックナンバー

　1位は「「HaswellはIvy Bridgeよりもわずかに良くなっただけ」、Intelの新プロセッサは賛否両論」、2位は「「日本市場さえ見ていれば、戦略的マーケティングはいらない」――STのMEMS事業は日本を最重要視」、3位は「ルネサスが“ARM搭載マイコン”の第1弾製品「RZファミリ」を発売」がランクインしました。

　4位の記事では、次世代パワー半導体材料の1つである酸化ガリウムを用いたMOSFETを紹介しました。次世代パワー半導体材料の代表格といえば、SiCやGaNですが、それよりもバンドギャップが大きいことが利点だとされています。今回開発されたMOSFETをきっかけに、SiCとGaNに続く注目の材料として急浮上するのでしょうか。「SiC/GaNデバイスは離陸間近」の他、電子ブックレット「実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN」も、おすすめの記事です。

　10位は、スマートフォンの市場を読み解く記事です。「Qualcommの強さ際立つスマホ向けプロセッサ市場、Intelのシェアは0.2％」「フラッシュメモリの搭載量、2013年にスマートフォンがフィーチャーフォンを上回る」なども、ぜひご覧ください。

EE Times Weekly Access Top10

» 2013年6月9日〜6月15日

1. 「HaswellはIvy Bridgeよりもわずかに良くなっただけ」、Intelの新プロセッサは賛否両論
2. 「日本市場さえ見ていれば、戦略的マーケティングはいらない」――STのMEMS事業は日本を最重要視
3. ルネサスが“ARM搭載マイコン”の第1弾製品「RZファミリ」を発売
4. SiCやGaNよりもワイドギャップ！ 酸化ガリウムMOSFETを開発
5. 曲がる有機イメージセンサー、医療からセキュリティまで幅広い分野に応用
6. 「英語に愛されているか否か」を客観的に検証する
7. スパコン性能1位は中国の「天河2号」、日本の「京」は4位
8. iPadアプリで成功したメーカーも、タブレット向け映像処理の開発競争が本格化
9. ルネサスとIMECが、28nm CMOS技術によるRFレシーバとA-Dコンバータを開発
10. 2013年6月の出来事で読み解くスマホ市場動向