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Samsung 14nmプロセッサ「Exynos」に刻まれた文字から探る：製品解剖（2/2 ページ）

» 2015年04月15日 11時15分公開

14nm FinFETの断面SEM画像

　Exynos 7420で、“GXL4928R”の刻印のGという文字は、Exynos 4412の“GKL799X”、5422の“GFL2349C”、5433の“GFL2349C”にも含まれている。

　われわれは、この“G”はファウンドリコードではなく、PoP（Package on Package）メモリモジュールにGLOBALFOUNDRIESのSRAMメモリを搭載していることを表しているのではないかと考えた。

　だが、旧世代のExynos（4412/5422/5430/5433）は14nmプロセスよりもずっと前に製造されている。つまり、GLOBALFOUNDRIESがSamsungの14nmプロセス技術のライセンス供与を受ける前に製造されているのだ。GがGLOBALFOUNDRIESを表わしているのでもないとすれば、残る可能性として、Exynos 7420はSamsungが自社で製造していることが考えられる。

Exynos 7420のダイの写真出典：Teardown.com

　Exynos 7420の断面を見ると、14nm FinFETを適用していることがよく分かる。コンタクテッドゲートピッチの幅は約77nmで、20nmプロセスを適用したExynos 5430の90nmに比べて、15％小さくなっている。さらに、査型電子顕微鏡（SEM）画像から、メタルゲートの側面と底面を覆っているゲート誘電体と仕事関数金属が、置換ゲートプロセスと一致することも分かる。

Exynos 7420の断面のSEM画像

　Samsungは、2014年9月にリリースしたExynos 5420では20nmプロセスを採用している。それからわずか7カ月で、14nmプロセスを適用したExynos 7420を製造したのは驚くべき進化である。

【翻訳：滝本麻貴、編集：EE Times Japan】

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Exynos | 14nmプロセス | Samsung | GLOBALFOUNDRIES | FinFET | 20nmプロセス | 製品解剖 | プロセス技術（エレクトロニクス） | Galaxy S6

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