メディア

ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表（3）～EUV露光装置の開発史：SEMICON West 2015リポート(6)（2/2 ページ）

» 2015年08月28日 09時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

第3世代機「NXE:3300B」を顧客が評価

　講演者のLercel氏は、NXE:3300Bを顧客が評価した結果を2枚のスライドにまとめてみせた。1枚目のスライドは、テスト結果のグラフである。2枚目のスライドには、テスト結果のグラフから得られた性能（結論）を示した。さらに、7nm世代の第1金属（M1）配線に相当する複雑なパターンをNXE:3300Bで露光した結果も披露していた。

NXE:3300Bを顧客が評価した結果。左上のグラフは、焦点位置の均一性をウエハー全体にわたって測定したもの。右上のグラフは、装置間の重ね合わせ（オーバーレイ）誤差を測定したもの。左下のグラフは、CDU（Critical Dimension Uniformity）をウエハー全体にわたって測定したもの。上は密集した直線、下は孤立した直線。右下のグラフは、ハーフピッチが18nmの水平な直線群を露光して線幅とCDUを測定した結果（クリックで拡大）

4種類の評価結果をまとめたスライド。左上は、ウエハー内の焦点位置が12nm未満の誤差でそろったことを示す。右上は、装置間の重ね合わせ（オーバーレイ）誤差が4nm未満であったことを示す。左下は、ウエハー内で22nmのパターンに対するCDU（誤差）が1.5nm未満であったことを示す。右下は、ハーフピッチが18nmの水平な直線群を1カ月にわたって安定に解像できたことを示す（クリックで拡大）

7nm世代の第1金属（M1）配線に相当する複雑なパターンをNXE:3300Bで露光した結果（クリックで拡大）

（次回に続く）

関連キーワード

EUV（極端紫外線） | リソグラフィ | ASML | 7nmプロセス | 福田昭のデバイス通信 | 福田昭のストレージ通信

ASMLがEUV装置を15台受注、納品先はIntel？
ASMLが、EUV（極端紫外線）リソグラフィ装置を15台、“米国顧客企業の1社”に納入すると発表し、業界の観測筋の間でさまざまな臆測を呼んでいる。複数の情報筋が、この顧客企業がIntelではないかという見方を示している。
ムーアの法則、50年をたどる
1965年、IntelのGordon Moore（ゴードン・ムーア）氏が雑誌に掲載したトランジスタに関する予見は、「ムーアの法則」として半導体技術の発展の大きな原動力となった。ムーアの法則によってトランジスタがどれほど進化してきたのか。50年を振り返ってみる。
ムーアの法則、その行方を聞く
これまで何度となく“終えん説”が唱えられてきたムーアの法則だが、半導体業界は多大な労力でこの法則を維持している。今後、ムーアの法則はどうなっていくのか。業界のキーマンに、ムーアの法則の行方や、ムーアの法則の維持に関わる技術などについて話を聞いた。
インテルが3D XPointをデモ、SSDは2016年に
インテルが、開催中の「IDF 2015」で、2015年7月に発表したばかりの不揮発メモリ技術「3D XPoint」を使ったSSDのデモを披露した。デモでは、40万2100IOPS（Input/Output Per Second）の処理性能が出ていた。