NANDフラッシュメモリのビット換算出荷量と販売単価(記憶容量当たりの単価)の相対的な推移(前四半期との比較)は、いずれも前四半期と同様に増加傾向が続く。ビット換算出荷量は10%台後半の増加、販売単価は1桁%台半ばの上昇である。
製品開発のハイライトではまず、2021年8月11日にUFS(Universal Flash Storage)バージョン3.1準拠のフラッシュメモリのサンプル出荷を始めたと発表した(参考記事:「キオクシア、UFS Ver3.1準拠のフラッシュメモリ)。第5世代の3D NANDフラッシュ技術「BiCS5」(112層の3次元メモリセル技術)で製造したNANDフラッシュメモリを搭載する。記憶容量が256Gバイトの品種と512Gバイトの品種を用意した。
また2021年9月14日には、高速3D NAND技術「XL-FLASH」で製造した高速NANDフラッシュと既存の3D NAND技術「BiCS」で製造した高密度NANDフラッシュを搭載したエンタープライズ/データセンター向け高速SSD「FL6」のサンプル出荷を始めたと発表した(リリース)。インタフェースはPCIe 4.0およびNVMe 1.4のデュアルポート。記憶容量は800Gバイト〜3.2Tバイトである。
(次回に続く)
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