パワー

レギュレータからIGBT、SiC/GaNなど電源/パワーデバイス関連記事一覧です。

ニュース

電源,パワー半導体開発

浜松工場に技術移管：

ローム、TSMCライセンス受けGaN一貫生産へ　27年目標

ロームは2026年2月26日、TSMCと窒化ガリウム（GaN）技術のライセンス契約を締結し、GaNパワーデバイスの一貫生産体制をグループ内で構築すると発表した。TSMCのGaNファウンドリー事業撤退を受けてのことで、2027年中の生産体制構築を目指す。

（2026年02月26日）

ニュース

電源

新工場は26年7月に開所：

Infineon、AI電源事業が驚異的成長「売り上げ3年で10倍に」

（2026年02月24日）

ニュース

電源

高精度でも安価：

基準電圧の「空白地帯」に訴求　EV用シャントレファレンスIC

（2026年02月19日）

ニュース

電源,パワー半導体開発

EVやデータセンター用電源を小型化：

SiCのスイッチング損失28％削減！　東芝の新ゲートドライバー技術

（2026年02月18日）

ニュース

電源

他社品比較で2倍以上の電流密度：

基板裏から最大200A供給　TDKのDC-DCパワーモジュール

（2026年02月13日）

ニュース

電源

低耐圧GaNもカバーへ：

ルネサスがGaN事業拡大、米国EPCとライセンス契約

（2026年02月13日）

ニュース

企業動向,電源

モビリティ用デバイス開発：

産総研とホンダ、ダイヤモンド半導体の研究開発拠点

（2026年02月10日）

ニュース

電源,パワエレ機器応用

OBCとDC-DCコンバーターに：

InfineonのSiC、トヨタの新型「bZ4X」に採用

（2026年02月09日）

ニュース

電池/エネルギー,電源

幅広い分野の製品を供給：

ST、AWSと数十億ドルの契約締結 AIデータセンター分野など

（2026年02月09日）

ニュース

電源

車載やサーバ向けなど堅調：

ロームが通期予想を再び上方修正、純利益100億円に

（2026年02月05日）

ニュース

電源

浜松に8インチライン：

ローム、TSMCのライセンス取得し650V GaNパワー半導体を自社生産へ

（2026年02月04日）

ニュース

電源,通信技術

通期見通しは営業利益を上方修正：

三菱電機の半導体は光デバイス好調　3Q受注高49％増

（2026年02月04日）

ニュース

電源

GaN-on-Si／QST、両技術展開へ：

TSMCが傘下VISにGaN技術ライセンス付与、28年に生産開始

（2026年02月03日）

ニュース

電源

ハイエンドEV向け22kW OBCも披露：

再エネの高電圧化に　DC1500V対応SiCモジュール、Infineon

（2026年02月02日）

ニュース

企業動向,電源

民生、産業品向け：

ミネベアパワーデバイスとサンケン電気、IPM事業で協業

（2026年01月28日）

ニュース

電源

第40回ネプコンジャパン：

ボッシュ共同開発のSiC車載モジュール、富士電機が見本展示

（2026年01月22日）

ニュース

先端技術,電源

シリコン中の水素が自由電子を生成：

パワー半導体の電力損失を低減できる仕組みを解明

（2026年01月16日）

ニュース

電源

AIインフラ、AR／VR、パワー向けに：

Wolfspeedが300mm単結晶SiCウエハー製造に成功

（2026年01月16日）

ニュース

SEMICON2025,会場レポート,電源

電力損失15％低減可能【訂正あり】：

産学官連携のAll GaN Vehicle、課題は「車載に耐えうる縦型GaN」

（2026年01月08日）

ニュース

企業動向,電源

研究開発も加速：

STマイクロ、欧州投資銀行と5億ユーロの融資契約生産能力強化へ

（2026年01月07日）

ニュース

電源

設計期間の短縮やマルチソース化に貢献：

富士電機とボッシュ、互換性あるSiC車載モジュール開発へ

（2026年01月06日）

ニュース

電源,部品/材料

SiCに比べ基板コストは最大50分の1：

酸化ガリウムデバイス向け4インチウエハー量産へ

（2026年01月05日）

コラム

電源

2025年年末企画：

編集者が選ぶ「2025年半導体業界の漢字」――「激」

（2025年12月25日）

ニュース

企業動向,電源

設計から製造までインドで完結：

ローム、パワー半導体製造でインドのタタと協業

（2025年12月24日）

ニュース

電源

DINレール取り付けにも対応：

4分の1に小型化したユニット型DC-DCコンバーター、TDK

（2025年12月23日）

ニュース

SEMICON2025,会場レポート,電源

SEMICON Japan 2025：

「動く」ダイヤモンドMOSFETを展示、2030年代実用化へ連携模索

（2025年12月22日）

ニュース

電源

低～高耐圧横型から縦型GaNまで：

今度はGFと650V品で協業、GaNパワー半導体でonsemiが攻勢

（2025年12月19日）

ニュース

電源

放熱とスイッチング性能を両立：

PCBの熱をヒートシンクに直接伝達、新パッケージ採用SiC MOSFET

（2025年12月12日）

コラム

電源

電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記：

NVIDIAによるAIデータセンターはGaNに「SiC×Tesla」級の波をもたらすか

（2025年12月08日）

ニュース

電源

200mm GaN on Siプロセス：

onsemiがGaN市場トップの中国Innoscienceと協業　26年にサンプル出荷

（2025年12月04日）

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レギュレータからIGBT、SiC/GaNなど電源/パワーデバイス関連記事一覧です。

浜松工場に技術移管：

新工場は26年7月に開所：

高精度でも安価：

EVやデータセンター用電源を小型化：

他社品比較で2倍以上の電流密度：

低耐圧GaNもカバーへ：

モビリティ用デバイス開発：

OBCとDC-DCコンバーターに：

幅広い分野の製品を供給：

車載やサーバ向けなど堅調：

浜松に8インチライン：

通期見通しは営業利益を上方修正：

GaN-on-Si／QST、両技術展開へ：

ハイエンドEV向け22kW OBCも披露：

民生、産業品向け：

第40回 ネプコン ジャパン：

シリコン中の水素が自由電子を生成：

AIインフラ、AR／VR、パワー向けに：

電力損失15％低減可能【訂正あり】：

研究開発も加速：

設計期間の短縮やマルチソース化に貢献：

SiCに比べ基板コストは最大50分の1：

2025年 年末企画：

設計から製造までインドで完結：

DINレール取り付けにも対応：

SEMICON Japan 2025：

低～高耐圧横型から縦型GaNまで：

放熱とスイッチング性能を両立：

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：

200mm GaN on Siプロセス：

第40回ネプコンジャパン：

2025年年末企画：

電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記：