世界のエレクトロニクス技術の最新動向がわかる - EE Times Japan

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InfineonもRISC-Vマイコンを発表：

RISC-V移行の流れ、欧州では「もう止められない」

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EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2025年6月号：

半導体業界これまでの20年、これからの20年―― EE Times Japan創刊20周年記念号

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全体では月産1110万枚に成長：

300mmファブ生産能力、2nmは2028年に月産50万枚へ

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投資会社EQTから：

台湾Innolux子会社がパイオニアを1636億円で買収へ

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プロセスデザインキットを共同開発：

2nm半導体設計基盤でRapidusとシーメンスが協業

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「米国の次なる技術革新を起こす」：

TI、米国への投資を600億ドルに更新　300mmファブを強化

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電力効率はGPU搭載PCの40倍：

映像処理用RTLコードを5分で生成、シャープ開発の高位合成ツール

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2027年度中にも稼働予定：

シャープ亀山工場に後工程自働化の検証ライン構築、SATAS

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タイリング「CFB」技術を開発：

InP系結晶薄膜素子を300mmシリコンウエハーに転写

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調査まとめ：

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過去に実施した読者調査や業績調査のまとめを一挙公開！

AI Everywhere　エッジAIがもたらす革新

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注目が高まっている組み込みAIの最前線を追う

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パワーデバイス開発から機器設計・応用までを追う

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セラミック基板に高精細RDL：

JDIの液晶の知見、先端半導体パッケージングの中核技術に

結晶化した酸化物半導体を形成：

GAA型酸化物半導体トランジスタ、東京大らが開発

デバイス

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：

DRAM業界をかき乱す中国勢、DDR4の供給の行方は？

極小MLモデルを完全自動生成：

NordicがTinyMLのNeuton.AI買収　極小モデルの自動生成技術

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小型モジュールで設置性も向上：

5G-Advanced基地局用GaN増幅器モジュールを開発、三菱電機

ADI開発のデータ伝送技術：

車載用SerDes「GMSL」を国際標準化へ、団体発足

センシング

「高密度化」が進化のけん引役に：

微細化前倒しや3層積層の強化……「市場で勝ち切る」ソニーの半導体戦略

光ファイバーにも対応：

ねじれたケーブルの束から1本を選ぶ　線状物特化の3Dビジョンセンサー

部品/材料

酸化還元に対し優れた安定性示す：

新たな有機半導体、不揮発メモリ素子を簡素化できる可能性

運送や保管のコストを削減：

常温で半年保管できる　パワー半導体用銀ペースト接合材

テスト/計測

出力0dBm、データレート280Gbps：

高速／高出力の300GHz帯信号生成システムを実現　6G開発に弾み

JPCA賞奨励賞：

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トヨタの中国向け新型BEV、ローム製SiC MOSFETを搭載

この10年で起こったこと、次の10年で起こること（93）：

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「Rapidusを支援したい」　VCに転身のPat Gelsinger氏、日米の協業に意欲

福田昭のデバイス通信（500） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その1）：

創刊前の20年間（1985年～2005年）で最も驚いたこと：1985年の「不可能」二題

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エレクトロニクス業界の代表組織が発足、IPCが改名

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「N2」SRAMの歩留まりは90％以上　技術開発も好調のTSMC

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