STマイクロがSiC-MOSFETを国内初公開：TECHNO-FRONTIER 2014

STマイクロエレクトロニクスは、「TECHNO-FRONTIER 2014」（2014年7月23〜25日）で、SiC（炭化ケイ素）によるMOSFET（SiC-MOSFET）製品を公開した。同社SiC-MOSFET製品の展示は国内で初めてという。

[竹本達哉，EE Times Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは、「TECHNO-FRONTIER 2014」（テクノフロンティア/2014年7月23〜25日、東京ビッグサイト）で、SiC（炭化ケイ素）によるMOSFET（SiC-MOSFET）製品を公開した。同社SiC-MOSFET製品の展示は国内で初めて。

　公開したSiC-MOSFETは、耐圧1200V、定格電流45A品、オン抵抗80mΩの「SCT30N120」。現在サンプル出荷中で、直径4インチサイズのSiCウエハーを用いてイタリア・カターニャ工場で2014年9月からの量産を目指している。

SiC-MOSFET「SCT30N120」を加工した4インチSiCウエハー

　SiCは、従来パワーデバイスに用いられるシリコンよりもバンドギャップが大きいなどの特性を持ち、次世代のパワーデバイス材料として注目が集まっている。そのため、SiC-MOSFETの製品化が相次いでおり、STマイクロのように以前よりシリコンパワーデバイスを手掛けてきたパワー半導体メーカー以外にも、新規参入メーカーも登場するなど、製品化競争が激しくなっている。

高温動作に強いSiC-MOSFET

　その中で、STマイクロのSCT30N120は、現状のSiC-MOSFET製品としては最大クラスの耐圧1200Vを実現した他、動作温度をジャンクション温度（Tj）で200℃まで保証した「高温動作保証が、競合他社と異なる特長」（説明員）という。競合他社のSiC-MOSFETはTj＝150℃までの動作保証にとどまっているとし、「200℃まで保証されることにより、これまで水冷式の冷却装置を使っていた用途であれば、空冷式ヒートシンクに置き換えられるなど、冷却システムを大きく簡素化できる利点がある」（説明員）という。

　さらに、高温動作時のオン抵抗の低さも特長で、「動作温度25℃時と150℃時のオン抵抗を比較した場合、一般的なSiC-MOSFETであれば、1.5倍程度まで上昇するが、SCT30N120は約10％に抑えられている」とした。

SiC-MOSFET「SCT30N120」の評価用ボード。5kWのブーストコンバータボード。「200℃保証のため、ヒートシンクが小さくなっている」（説明員）。

将来は車載も視野

　STマイクロでは、既に量産化しているSiCダイオード製品とともにSCT30N120の提案活動を実施。産業機器や太陽光発電用パワーコンディショナー用途での採用を見込んでいる他、「自動車業界からの引き合いも既にあり、将来的には自動車への搭載も見込まれる」（説明員）としている。

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