Gpixelは、高UV感度と低暗電流を実現した裏面照射型(BSI)sCMOSイメージセンサー「GSENSE400-BSI」を発表した。この製品はタワージャズのTS18ISプロセスを使って製造した。
Gpixelは2015年4月、裏面照射型(BSI)sCMOSイメージセンサー「GSENSE400-BSI」を発表した。この製品はタワージャズのTS18ISプロセスを使って製造されたもので、高いUV感度と極めて低い暗電流を達成している。
GSENSE400-BSIは、UV(紫外線)に最適化された製品の場合で波長270〜300nm、VIS(可視光)に最適化された製品では波長300〜400nmの範囲で、それぞれ高い感度となるように設計されている。特に、科学グレードの製品ではリードノイズ1.3e-、リニアフルウェルチャージ91Ke-、ダイナミックレンジ96dBの仕様を達成したという。また、−50℃の深冷式により、暗電流は0.03e-/p/s以下に低減させることが可能である。
UVおよびVISに最適化されたGSENSE400-BSIは、すでにサンプル出荷を始めている。量産は2015年第3四半期(7〜9月)より開始する予定である。新製品は高い感度や低ノイズ、高いダイナミックレンジを要求する分光分析、生体測定、監視、工業検査、法医学、天文学などの画像認識/処理用途に向ける。
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