ラムリサーチは、配線工程において、従来のタングステンに代わり、モリブデンを使用する原子層堆積(ALD)装置を発表した。次世代のロジックやメモリの製造に向け、より低抵抗の金属で配線を形成できるようになる。併せて、新たなプラズマ制御機構を用いたエッチング装置も発表した。
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