窮地のシャープが電子デバイス事業を強化、GaNパワー半導体市場に参入：ビジネスニュース 企業動向

シャープが、窒化ガリウム（GaN）を用いたパワー半導体市場に参入する。第1弾製品として、耐圧が600Vのパワートランジスタを発表した。

[EE Times Japan]

　シャープは2013年3月14日、窒化ガリウム（GaN）を用いたパワー半導体市場に参入することを発表した。同社は、電子デバイス事業を強化する方針であり、カメラモジュール、照明用LED、センサー、タッチパネルシステム、パワー関連デバイスの5つを重点分野にしている。今回発表したGaNパワー半導体は、パワー関連デバイスの中で、蓄電システムモジュールと並ぶ2つ目の柱となっている。

　今回の発表に併せて、定格電圧が600VのGaNパワートランジスタを開発、2013年4月よりサンプル出荷を開始する。サンプル価格は3000円。高耐圧や高速スイッチングといったGaNの利点を生かし、民生用途に向ける。

　シャープは、以前よりLEDやレーザーの分野でGaNデバイスの開発に取り組んできた。その技術と、LSIプロセス半導体技術を融合して、今回のGaNパワートランジスタを開発したという。

GaNパワートランジスタ（左）と6インチのGaNパワートランジスタウエハー（クリックで拡大）

　今回発表したパワートランジスタの主な仕様は、定格電流が8A、オン電圧が3.5V、オン抵抗が155mΩ、ゲート電荷量が13nC、逆回復電荷量が65nCである。

　将来的には、GaNパワートランジスタだけではなく、周辺部品も統合した電源モジュールの提供も行う予定だ。GaNパワートランジスタは、2013年内の量産開始を目指す。広島県にあるシャープの福山工場にて、月産25万個を予定している。

シャープのGaNパワーデバイス事業 今後の展開（クリックで拡大）　出典：シャープ