プロセス技術

「ムーアの法則」を追う微細加工技術などプロセス技術に関する情報をお届け。

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プロセス技術

トランジスタを原子スケールで改良：

2nm世代以降のGAAチップの性能向上へ、AMATの新装置

アプライドマテリアルズ（AMAT）は、2nm以降のGAAトランジスタを集積するAIチップの性能を、さらに向上させることができる半導体製造装置3種類を発表した。既に複数の大手ファウンドリーやロジックICメーカーが新製品を導入し、活用しているという。

（2026年02月17日）

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プロセス技術

1200℃の高温接合で熱反りが減少：

大面積のダイヤモンド／シリコン複合ウエハー開発

（2026年02月04日）

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プロセス技術

2つの成膜メカニズムを解明：

次世代半導体材料をウエハー規模に成膜、NIMSら

（2026年01月23日）

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プロセス技術

12インチウエハーや大型基板に対応：

新型ハイブリッドプレーサーを発売、ヤマハ発動機

（2026年01月16日）

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プロセス技術

ウエハー表面の凹凸を5nm以下に：

NIL技術を応用しウエハーを平たん化、キヤノン

（2026年01月15日）

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プロセス技術

ウエハーを冷却しHFプラズマ使用：

新たなプロセス開発でエッチング速度を5倍向上、名古屋大ら

（2026年01月14日）

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プロセス技術

銅ナノ粒子インクを基材に直接吐出：

基板向けインクジェット印刷装置、エレファンテックが初号機を販売

（2025年12月25日）

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プロセス技術,部品/材料

微細加工とTGVの樹脂充填が可能に：

ガラスコア基板の加工に適したポリイミドシート、東レ

（2025年12月24日）

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SEMICON2025,会場レポート,業界動向,プロセス技術

SEMICON Japanの恒例展示：

クリーンスーツ隠れた特技早着替え……あるある満載の半導体かるたが完成

（2025年12月23日）

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プロセス技術

GaN系デバイスへのダメージ低減：

原子層レベルで超精密に加工、サムコの原子層エッチング装置

（2025年12月22日）

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プロセス技術

有機RDLインターポーザ－など研究：

次世代半導体パッケージのパイロットラインを石川に導入、TOPPAN

（2025年12月19日）

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プロセス技術

次世代半導体パッケージ向け：

TGVガラスコア基板のパイロットライン新設、DNP

（2025年12月19日）

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プロセス技術

複数の基板を貼り付けて切断：

最大400mm角のパッケージを切断できるダイシングソー、ディスコ

（2025年12月17日）

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プロセス技術

従来に比べ50％以上も欠陥を低減：

EUV露光に対応する300mmウエハー塗布／現像装置、TEL

（2025年12月17日）

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プロセス技術

GaNやGa2O3とSiCの接合も目指す：

SiCとSiやサファイアを常温接合、「ほぼ不可能」を独自技術で実現

（2025年12月16日）

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プロセス技術

先端半導体パッケージに対応：

解像度1μm以下の直接描画露光装置を開発、SCREEN

（2025年12月16日）

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プロセス技術

ウエハーを高い精度で重ね合わせ：

3D構造の先端半導体の歩留まり向上、ニコンが新装置を開発

（2025年12月15日）

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プロセス技術

2027年にも量産開始へ：

1.4nm世代に対応、回路線幅10nmのNIL用テンプレートをDNPが開発

（2025年12月11日）

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プロセス技術,計測/検査装置

キオクシアが導入決定：

原子1個分以下の精度で計測、リガクの膜厚計測装置

（2025年12月08日）

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プロセス技術

imecとの共同研究：

300mmウエハー上でCD1.6μmの3層RDL形成に成功、太陽HD

（2025年11月17日）

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プロセス技術

imecが650V超のGaN破壊電圧達成：

300mm QST基板を用い高耐圧GaN HEMTデバイスを開発、信越化学

（2025年11月17日）

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プロセス技術

国内装置メーカー3社との共同研究がベース：

GAA構造トランジスタの試作が国内で可能に、産総研が試験ライン構築

（2025年11月07日）

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企業動向,プロセス技術

業績予想の変更はなし：

SCREENがニコンのウエハー接合技術を譲受　先端パッケージ領域の成長図る

（2025年11月05日）

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プロセス技術

家族経営の強みを生かす：

半導体分野が伸びるトルンプ　25年6月期は減収も「日本が好調」

（2025年10月31日）

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メモリ,LSI,プロセス技術

膜厚は最大100μm：

ボイドフリーで成膜可能、先端パッケージング用PECVD装置

（2025年10月28日）

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プロセス技術

数十マイクロメートルの隙間も確実に：

3次元実装の半導体に対応するフラックス洗浄装置、リックス

（2025年10月17日）

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プロセス技術

「業界初」のボンディング装置など：

最先端ロジック／メモリ用半導体製造装置、AMATが3製品発表

（2025年10月14日）

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プロセス技術,電源

6／8インチn型SiCウエハーも：

名古屋大ら、溶液成長法による6インチp型SiCウエハー試作に成功

（2025年10月07日）

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プロセス技術

スループットは従来比で15倍：

チップレット集積の歩留まり向上へ　高速なオーバーレイ測定を実現

（2025年09月12日）

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プロセス技術

DSeB技術を用い深部領域を観察：

GaNで半導体製造の欠陥検出　キオクシア岩手で検証へ

（2025年09月05日）

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