横浜国立大学とKOKUSAI ELECTRICの研究グループは、原子層堆積法(ALD)で形成した酸化アルミニウム(Al2O3)薄膜に、直接接合を可能にする「自己活性化」特性があることを発見した。従来のようにプラズマ処理や化学機械研磨(CMP)を事前に行わなくて済むことから、3次元半導体を実現するためのウエハー接合が簡素化できる。
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