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プロセス技術

「ムーアの法則」を追う微細加工技術などプロセス技術に関する情報をお届け。

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プロセス技術
1200℃の高温接合で熱反りが減少:

産業技術総合研究所(産総研)とイーディーピーは、ダイヤモンドデバイス製造に向け、大面積のダイヤモンド/シリコン複合ウエハーを開発した。多数の小さなダイヤモンドをシリコンウエハー上に1200℃という高温で接合すれば熱ひずみを抑えられ、汎用の露光装置を用いて微細加工が可能なことを実証した。

(2026年02月04日)
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プロセス技術
2つの成膜メカニズムを解明:
(2026年01月23日)
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プロセス技術
12インチウエハーや大型基板に対応:
(2026年01月16日)
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プロセス技術
ウエハー表面の凹凸を5nm以下に:
(2026年01月15日)
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プロセス技術
ウエハーを冷却しHFプラズマ使用:
(2026年01月14日)
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プロセス技術
銅ナノ粒子インクを基材に直接吐出:
(2025年12月25日)
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プロセス技術,部品/材料
微細加工とTGVの樹脂充填が可能に:
(2025年12月24日)
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SEMICON2025,会場レポート,業界動向,プロセス技術
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SEMICON Japanの恒例展示:
(2025年12月23日)
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プロセス技術
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GaN系デバイスへのダメージ低減:
(2025年12月22日)
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プロセス技術
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有機RDLインターポーザ−など研究:
(2025年12月19日)
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プロセス技術
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次世代半導体パッケージ向け:
(2025年12月19日)
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プロセス技術
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複数の基板を貼り付けて切断:
(2025年12月17日)
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プロセス技術
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従来に比べ50%以上も欠陥を低減:
(2025年12月17日)
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プロセス技術
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GaNやGa2O3とSiCの接合も目指す:
(2025年12月16日)
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プロセス技術
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先端半導体パッケージに対応:
(2025年12月16日)
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プロセス技術
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ウエハーを高い精度で重ね合わせ:
(2025年12月15日)
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プロセス技術
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2027年にも量産開始へ:
(2025年12月11日)
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プロセス技術,計測/検査装置
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キオクシアが導入決定:
(2025年12月08日)
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プロセス技術
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imecとの共同研究:
(2025年11月17日)
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プロセス技術
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imecが650V超のGaN破壊電圧達成:
(2025年11月17日)
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プロセス技術
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国内装置メーカー3社との共同研究がベース:
(2025年11月07日)
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企業動向,プロセス技術
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業績予想の変更はなし:
(2025年11月05日)
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プロセス技術
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家族経営の強みを生かす:
(2025年10月31日)
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メモリ,LSI,プロセス技術
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膜厚は最大100μm:
(2025年10月28日)
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プロセス技術
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数十マイクロメートルの隙間も確実に:
(2025年10月17日)
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プロセス技術
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「業界初」のボンディング装置など:
(2025年10月14日)
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プロセス技術,電源
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6/8インチn型SiCウエハーも:
(2025年10月07日)
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プロセス技術
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スループットは従来比で15倍:
(2025年09月12日)
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プロセス技術
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DSeB技術を用い深部領域を観察:
(2025年09月05日)
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プロセス技術,電源,パワー半導体開発
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希釈水素熱処理を2段階で実施:
(2025年09月04日)

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