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プロセス技術

「ムーアの法則」を追う微細加工技術などプロセス技術に関する情報をお届け。

ニュース

プロセス技術

2027年にも量産開始へ：

1.4nm世代に対応、回路線幅10nmのNIL用テンプレートをDNPが開発

大日本印刷（DNP）は、回路線幅が10nmのナノインプリントリソグラフィ－（NIL）用テンプレートを開発した。NAND型フラッシュメモリに加え、1.4nm世代相当の先端ロジック半導体にも対応できる。2027年にも量産を始める予定だ。

（2025年12月11日）

ニュース

プロセス技術,計測/検査装置

キオクシアが導入決定：

原子1個分以下の精度で計測、リガクの膜厚計測装置

（2025年12月08日）

ニュース

プロセス技術

imecとの共同研究：

300mmウエハー上でCD1.6μmの3層RDL形成に成功、太陽HD

（2025年11月17日）

ニュース

プロセス技術

imecが650V超のGaN破壊電圧達成：

300mm QST基板を用い高耐圧GaN HEMTデバイスを開発、信越化学

（2025年11月17日）

ニュース

プロセス技術

国内装置メーカー3社との共同研究がベース：

GAA構造トランジスタの試作が国内で可能に、産総研が試験ライン構築

（2025年11月07日）

ニュース

企業動向,プロセス技術

業績予想の変更はなし：

SCREENがニコンのウエハー接合技術を譲受　先端パッケージ領域の成長図る

（2025年11月05日）

ニュース

プロセス技術

家族経営の強みを生かす：

半導体分野が伸びるトルンプ　25年6月期は減収も「日本が好調」

（2025年10月31日）

ニュース

メモリ,LSI,プロセス技術

膜厚は最大100μm：

ボイドフリーで成膜可能、先端パッケージング用PECVD装置

（2025年10月28日）

ニュース

プロセス技術

数十マイクロメートルの隙間も確実に：

3次元実装の半導体に対応するフラックス洗浄装置、リックス

（2025年10月17日）

ニュース

プロセス技術

「業界初」のボンディング装置など：

最先端ロジック／メモリ用半導体製造装置、AMATが3製品発表

（2025年10月14日）

ニュース

プロセス技術,電源

6／8インチn型SiCウエハーも：

名古屋大ら、溶液成長法による6インチp型SiCウエハー試作に成功

（2025年10月07日）

ニュース

プロセス技術

スループットは従来比で15倍：

チップレット集積の歩留まり向上へ　高速なオーバーレイ測定を実現

（2025年09月12日）

ニュース

プロセス技術

DSeB技術を用い深部領域を観察：

GaNで半導体製造の欠陥検出　キオクシア岩手で検証へ

（2025年09月05日）

ニュース

プロセス技術,電源,パワー半導体開発

希釈水素熱処理を2段階で実施：

SiC MOSデバイスの性能を向上し信頼性も大幅改善、大阪大

（2025年09月04日）

ニュース

プロセス技術

異種材料を強固につなぐ：

「内部が空洞」のマイクロバンプで低温接合、新たな半導体実装技術

（2025年09月02日）

ニュース

LSI,プロセス技術

レーザー転写技術を応用：

極薄の先端半導体チップを高スループットで実装、生産効率10倍

（2025年09月01日）

ニュース

プロセス技術

露光性能は維持し露光安定性を実現：

光電融合デバイスに対応した干渉露光装置を開発、ウシオ電機

（2025年08月29日）

ニュース

プロセス技術

信号遅延と消費電力を大幅に削減：

5.5D技術を含む3DIC設計、ソシオネクストが対応

（2025年08月29日）

ニュース

プロセス技術

線幅1μmの回路形成に成功：

高解像度で高精度のダイレクト露光装置を開発、25年度内に製品化

（2025年08月29日）

連載

LSI,プロセス技術

湯之上隆のナノフォーカス（83）：

前工程装置でシェア低下が続く日本勢、気を吐くキヤノンは希望となるか

（2025年08月25日）

ニュース

プロセス技術

加工時間短縮や長期間使用が可能：

研磨速度が30倍も速い、GaNウエハー用研磨パッド

（2025年08月25日）

ニュース

プロセス技術

酸素放出を抑制するプロセスを導入：

タングステンるつぼを用い2200℃以上で酸化物単結晶を作製

（2025年08月21日）

ニュース

プロセス技術,部品/材料

成長温度が電気特性などに影響：

スパッタ法で高品質ScAlN薄膜の作製に成功

（2025年08月13日）

ニュース

LSI,プロセス技術

理事長は名古屋大学教授天野浩氏：

半導体産業を支援するコミュニティ「RISE-A」設立、三井不動産

（2025年07月18日）

ニュース

プロセス技術

EDS工程のセットアップロス削減：

半導体製造工程に「量子技術」を本格導入、ロームなど

（2025年07月14日）

ニュース

企業動向,LSI,プロセス技術

IBM SiView Standardの開発拠点に：

半導体製造ラインの立ち上げ迅速に、日本IBMが京都に開発拠点

（2025年07月08日）

ニュース

企業動向,プロセス技術

大阪と山梨の製造ラインを拡張：

リガク、半導体計測装置の生産能力を50％増強

（2025年07月04日）

ニュース

プロセス技術,部品/材料

レゾナックとPulseForgeが提携：

「光で剥離」次世代半導体パッケージの歩留まりと生産性向上へ

（2025年07月03日）

ニュース

プロセス技術

消費電力は既存EUV光源の1/10に：

加速器を用いた「省電力次世代EUV露光技術」開発へ

（2025年07月02日）

ニュース

AI,プロセス技術

リチウムイオン電池製造ラインで検証：

SEM画像解析とAI活用、製造途中で性能を予測　日立製作所

（2025年07月01日）

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膜厚は最大100μm：

数十マイクロメートルの隙間も確実に：

「業界初」のボンディング装置など：

6／8インチn型SiCウエハーも：

スループットは従来比で15倍：

DSeB技術を用い深部領域を観察：

希釈水素熱処理を2段階で実施：

異種材料を強固につなぐ：

レーザー転写技術を応用：

露光性能は維持し露光安定性を実現：

信号遅延と消費電力を大幅に削減：

線幅1μmの回路形成に成功：

湯之上隆のナノフォーカス（83）：

加工時間短縮や長期間使用が可能：

酸素放出を抑制するプロセスを導入：

成長温度が電気特性などに影響：

理事長は名古屋大学教授 天野浩氏：

EDS工程のセットアップロス削減：

IBM SiView Standardの開発拠点に：

大阪と山梨の製造ラインを拡張：

レゾナックとPulseForgeが提携：

消費電力は既存EUV光源の1/10に：

リチウムイオン電池製造ラインで検証：

理事長は名古屋大学教授天野浩氏：