メモリ/ストレージ

DRAM、フラッシュメモリ、次世代メモリからHDD/SSDなどストレージ関連情報の一覧です。

ニュース

メモリ

Micronがサンプル出荷を開始：

レイテンシ40％減　熱設計も改良されたMRDIMM

Micron Technologyは、メモリ負荷が高いHPCやAI推論などの用途に向けたMRDIMM（マルチランクデュアルインラインメモリモジュール）製品のサンプル出荷を始めた。今回用意した製品のメモリ容量は最大256Gバイト。RDIMMと比べレイテンシは最大40％も低減した。

（2024年07月26日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（263）：

Micronの四半期業績は増収増益、営業利益率は10％台に回復

（2024年07月18日）

特集

メモリ

「HBM4」を2025年に発表へ：

過熱するHBM開発競争、SK hynixは製品化を前倒し

（2024年07月16日）

ニュース

メモリ

アモルファスアルミ酸化物ReRAM：

不揮発メモリ機能発現に重要な役割を果たす酸素空孔

（2024年07月11日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（262）：

「フラッシュメモリサミット」が「フューチャーメモリアンドストレージ」に改名

（2024年06月21日）

ニュース

メモリ,LSI

Samsung／SK hynixが矢面に：

米国の対中「GAA／HBM」規制、実施なら韓国勢に打撃

（2024年06月19日）

ニュース

メモリ

仮想化と4ポート搭載で：

自動運転車のストレージを「一元化」するMicronの新SSD

（2024年06月11日）

特集

メモリ

独自の「PCMO」プロセスを開発：

4DS Memoryが切り開くReRAMの競争　勝敗を分ける要素とは

（2024年06月04日）

特集

メモリ

カスタムか、標準か：

メモリベンダーの「生き残り戦略」を考察する

（2024年05月31日）

ニュース

メモリ

半導体部門のトップが交代：

HBM競争で背水の陣　メモリ事業で苦戦するSamsung

（2024年05月30日）

ニュース

メモリ

生成AIの普及でHBMの需要が増す中：

GDDR7 DRAMはAI用途でHBMの「代替品」として飛躍する可能性も

（2024年05月23日）

ニュース

先端技術,メモリ

キュリー温度は最高303K：

室温で強磁性を示す希土類酸化物を発見、スピントロニクス材料として期待

（2024年05月21日）

ニュース

テクノフロンティア2024,事前情報,メモリ

HAMRとMAMRの両技術で実現：

30Tバイト超の大容量ニアラインHDD、東芝D＆Sが実証に成功

（2024年05月21日）

ニュース

業界動向,メモリ

AI需要で成長：

SK Hynixは新工場に146億ドルを投資へ HBM市場のゆくえは

（2024年05月20日）

ニュース

業界動向,メモリ

足元では市況回復、AI関連も期待：

キオクシアの23年度は過去最大の2437億円赤字、4Qは黒字転換

（2024年05月15日）

ニュース

業界動向,メモリ

産学連携の促進に向け：

東北大学が研究者／特許情報を公開――「サイエンスパーク構想」の狙いとは

（2024年05月15日）

コラム

メモリ,LSI,生成AI

電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記：

生成AIにけん引される半導体業界、現在の勝者と今後の展望

（2024年05月13日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（261）：

HDD大手Western Digitalの四半期売り上げ、8四半期ぶりに前年同期を上回る

（2024年05月08日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（260）：

HDD大手Seagateの四半期業績、前四半期比での増収増益が続く

（2024年05月01日）

ニュース

業界動向,メモリ

データセンター需要と民生機器買い替えで：

2024年はDRAM／NAND市場が回復へ　需給バランスも正常化

（2024年04月12日）

ニュース

業界動向,メモリ,LSI

TrendForceが調査：

TSMCの詳細判明、台湾地震による半導体工場の最新被害／稼働状況

（2024年04月05日）

ニュース

業界動向,メモリ,LSI

TSMCやSamsungへの支援も重要に：

CHIPS法、次の大型支援獲得はMicronか　アナリストの見解

（2024年04月03日）

ニュース

メモリ

多値記録で10Tビット/in2を超える：

磁気記録媒体を3次元化、HDDの容量拡大が可能に

（2024年04月02日）

特集

メモリ

DRAMとの“距離”はまだ遠く：

「3D NANDの進化」に必要な要素とは

（2024年04月01日）

ニュース

業界動向,メモリ

2024年のNANDフラッシュ需要動向は：

キオクシアとWD、業績改善に向け工場稼働率を9割近くまで引き上げか、TrendForceが分析

（2024年03月27日）

ニュース

メモリ

3月下旬から供給開始へ：

SK hynixがHBM3Eの量産を開始、NVIDIAのサプライヤー多様化で競争は激化

（2024年03月21日）

ニュース

メモリ,マイコン

組み込み型相変化メモリ搭載：

STがマイコンに18nm FD-SOIプロセス採用へ、25年後半に量産へ

（2024年03月21日）

ニュース

メモリ

らせん磁性体のマンガン金合金を利用：

磁気メモリの高集積化を可能にする技術　東北大らが開発

（2024年03月15日）

ニュース

メモリ

高密度のReRAM開発につながる？：

次世代メモリ材料における水素の拡散運動を解明

（2024年03月11日）

ニュース

メモリ

36GB版も間もなくサンプル出荷へ：

NVIDIAの「H200」GPUに載る　Micronが24GB HBM3Eの量産を開始

（2024年03月01日）

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仮想化と4ポート搭載で：

独自の「PCMO」プロセスを開発：

カスタムか、標準か：

半導体部門のトップが交代：

生成AIの普及でHBMの需要が増す中：

キュリー温度は最高303K：

HAMRとMAMRの両技術で実現：

AI需要で成長：

足元では市況回復、AI関連も期待：

産学連携の促進に向け：

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：

福田昭のストレージ通信（261）：

福田昭のストレージ通信（260）：

データセンター需要と民生機器買い替えで：

TrendForceが調査：

TSMCやSamsungへの支援も重要に：

多値記録で10Tビット/in2を超える：

DRAMとの“距離”はまだ遠く：

2024年のNANDフラッシュ需要動向は：

3月下旬から供給開始へ：

組み込み型相変化メモリ搭載：

らせん磁性体のマンガン金合金を利用：

高密度のReRAM開発につながる？：

36GB版も間もなくサンプル出荷へ：

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