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14nm SoCや新規メモリなどの研究成果を発表へ――日本の採択論文数は米国に次ぐ計27件：2015 VLSIシンポジウム概要（4/4 ページ）

» 2015年04月22日 10時45分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

3値連想記憶メモリ、3D積層イメージャー

　会見では、VLSI Circuits シンポジウムにおける注目論文として11件を紹介した。例えば、高性能プロセッサ技術では、IBMの「共振型クロック分配方式ハイエンドプロセッサ」（講演番号はC23-5）や、オンチップ電圧レギュレータにより、Droop制御を可能とすることでアクティブ時および待機時の電力消費を従来比35％削減できるIntelの「モバイルデバイス向け高エネルギー効率プロセッサ」（講演番号はC23-1）がある。

　高性能メモリシステムとしては、ビットセル面積を従来に比べて15.8％削減したルネサスエレクトロニクスの「16nm FinFETプロセスによる3値連想記憶メモリ（TCAM）」（講演番号はC19-5）、LP DDR4と比べ入出力電力効率を40％向上させることができるSamsung Electronicsの「高速DRAMインタフェース」（講演番号はC12-2）などが注目を集めそうだ。

　この他、16Mピクセルグローバルシャッタモードと、2Mピクセル時に10000fps高速撮像モードに対応したオリンパスの「3次元積層型CMOSイメージセンサー」（講演番号はC4-5）や、アナログ/デジタルハイブリッド型ビームフォーミングに対応するパナソニックの「WiGig/IEEE 802.11ad向け60GHzワイヤレストランシーバ」（講演番号はC22-3）などを紹介した。

　両シンポジウムでは、上記の講演以外にも、それぞれに特別フォーカスセッションや、イブニングパネルセッション、ショートコースなどが予定されている。

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