京大発ベンチャーのFLOSFIAは「SEMICON Japan 2019」(2019年12月11〜13日、東京ビッグサイト)で、「GaO(材料名α-Ga▽▽2▽▽O▽▽3▽▽:コランダム構造酸化ガリウム)」パワーデバイスや評価用ボードを展示した。同社は世界初のGaOパワーデバイスとして、ショットキーバリアダイオード(SBD)を2020年中に量産予定だ。また、MOSFETについても、「ノーマリーオフ動作するMOSFETで、市販のSiCの特性を大幅に超えるチャンネル移動度を実現した」と最新の開発状況を紹介。2020年度中のサンプル提供、2021年以降の実用化を目指しているという。