電子材料特集
エレクトロニクスデバイス技術進歩の根幹をなす電子材料。デバイスの性能向上だけでなく、コスト削減や環境対応などさまざまなメリットの実現を目指し、その改良や新材料の開発が進められている。本特集では、電子材料開発の最新情報をお届けする。
Top Story
開発に向けた道筋とは：
重要鉱物と採掘技術をテーマにした国際イベント「Critical Minerals & Mining Solutions Summit」で、東京大学の加藤泰浩氏が南鳥島で採掘されるレアアース泥（でい）の現況などを紹介した。現在、レアアース市場は中国が独占状態だが、南鳥島の排他的経済水域（EEZ）のレアアース泥全体では中国を凌ぐ資源量になるという。
独自デジタルツインを開発：
富士フイルムは2026年7月14日、同社半導体事業のR＆Dにおけるデジタルトランスフォーメーション（DX）戦略について、メディア向け説明会を開催した。半導体微細化によって材料メーカーに課題解決の役割が求められるなか、同社は独自のデジタルツインを導入。活用によって2030年度の売上5000億円達成を目指す。
新研究拠点を開設：
ADEKAは2026年7月2日、半導体材料の研究開発に特化した研究施設「半導体イノベーションセンター」（埼玉県久喜市）の本格稼働を開始した。世界シェア1位の先端メモリ向けALD材料のさらなる開発に加え研究領域を拡大し、ロジックや後工程も含む総合半導体材料メーカーを目指すという。
半導体材料
薄膜全体の結晶性と電気特性を改善：
東洋大学と岡山大学の研究グループは、酸化還元グラフェン（rGO）上に、高い結晶性と電気伝導特性に優れたグラフェン薄膜を形成することに成功した。
NTTがβ型酸化ガリウムで実証：
NTTは、AIとロボットを組み合わせた自律実験によって半導体材料の成膜条件を最適化するとともに、その過程で得られたデータから、人が理解／転用できる「成膜ルール」を抽出する技術を実証した。次世代パワー半導体材料として期待されるβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）を用いた実験では、「スパッタ法として世界で初めて」（NTT）の単結晶薄膜の作製にも成功した。
幅広い電子・光デバイスに応用：
名古屋大学らによるASPIRE（先端国際共同研究推進事業）国際共同研究グループは、薄膜p型窒化ガリウム（p型GaN）表面の平たんさを維持しつつ、低抵抗のオーミック接触を形成する技術を開発した。LEDやp型GaNゲートHEMT、HBTなど、薄膜p型GaN層を用いる電子・光デバイスへの応用に期待する。
大面積を非破壊で高速に観察：
ノベルクリスタルテクノロジーはファインセラミックセンター（JFCC）と共同で、次世代パワー半導体材料の「酸化ガリウム」について、結晶中の欠陥を3次元的に可視化する技術を開発した。非破壊で高速に大面積の欠陥分布を評価でき、検出精度も高い。
貴金属フリーで高品質、低コスト：
東北大学発ベンチャーのFOXやC＆A、東北大学および、三重大学の研究グループは、OCCC法と呼ぶ新たな結晶育成手法により、直径3.5インチの「酸化ガリウム単結晶」を作製することに成功した。開発した育成手法は、高価なイリジウムるつぼなどを使わなくて済むという。
アモルファスOLEDから結晶OLEDへ：
富山大学の研究グループは、発光層を結晶化させる技術を用い、低電圧駆動と大電流密度を実現した「薄膜結晶有機EL」の開発に成功した。有機EL（OLED）分野において、これまでの「アモルファスOLED」から「結晶OLED」に切り替わる可能性があるとみている。
電流量を変えても発光色は変化せず：
大阪大学の研究グループは立命館大学の協力を得て、単一材料で同一箇所から多色発光が得られる「可視光LED」を開発した。電流注入量を変えても各発光色が変化することはないという。
光の偏光方向だけで働きを切り替え：
岡山大学と北海道大学および中国北京大学の共同研究グループは、特殊な2次元材料を用い、1つのナノ構造の中で光を「集める」機能と「ためる」機能を共存させることに成功した。しかも、光の偏光方向を変えるだけで、これら2つの機能を切り替えられることを実証した。
PCBMを用い高い変換効率を実現：
広島大学と京都大学、日本電子らの研究チームは、結晶性が低いポリマー半導体「PTNT2T」が、高い電荷移動度を示す起源を明らかにした。この材料を有機薄膜太陽電池（OPV）へ応用し、世界最高水準のエネルギー変換効率を実現した。
HfNをゲート電極として採用：
東京大学大学院工学系研究科のTUNG Vincent教授らによる国際共同研究グループは、台湾・中央研究院応用科学研究センターと共同で、2次元半導体「単層二硫化モリブデン」を用い、室温で発光の強さを電気的に制御できる光電子デバイスを開発し、その動作実証に成功した。
銅添加タングステン酸結晶を作製：
北海道大学は、銅を添加したタングステン酸半導体ナノ材料を作製することに成功した。その上で、この材料が「静電容量性」と「導電性」の両挙動を示すことを明らかにした。
GAA型トランジスタのチャネルに：
東京大学は、直径1nmという極めて細い二硫化モリブデン（MoS2）の半導体ナノチューブを合成することに成功した。GAA型トランジスタのチャネル材料として期待される。
機能性材料
「金属で十分」だった領域にも：
AI需要を背景に半導体市場が拡大する一方、微細化や3次元（3D）積層化によって製造プロセスは複雑化している。京セラは、幅広い材料ラインアップと成形／加工技術を強みに、半導体製造装置向けファインセラミック部品を強化している。前工程に加え、中／後工程での用途開拓も進める。
水系環境でも生体信号を安定計測：
理化学研究所（理研）らによる国際共同研究グループは、湿った環境や水中でも安定して動作する「透明導電ナノ膜」を開発した。雨水や海水、体液などへの耐久性に優れていて、ウェアラブルデバイスや透明な脳表面電極などへの応用に期待する。
紫外線に応答して構造が変化：
沖縄科学技術大学院大学（OIST）は、紫外線を当てると構造が変化する「多機能化合物」を合成した。この分子は照射する光の波長に応じて構造が切り替わる「分子スイッチ」として機能する。分子エレクトロニクスやデータストレージ技術などへの応用に期待する。
高周波誘電損失の低減に成功：
東京科学大学の研究グループは、“分子ゆらぎ”を制御した新たな「ポリイミド絶縁材料」を開発するとともに、この材料を用いて高周波誘電損失を低減することに成功した。6G（第6世代移動通信）やAI半導体を支える高周波絶縁材料として期待される。
水に浮かべ紫外光を当てるだけ：
東海大学の研究グループは、「光触媒による水素製造」と「熱電発電」の機能を、1つの膜の中で実現できる新たなエネルギーデバイスを開発した。
低抵抗かつ高信頼の接続が可能に：
エレファンテックは、AIサーバや高速通信機器などに用いられる多層基板の層間接続に向けた銅ナノペースト「SAphire B」を開発した。複数の多層基板ブロック間を接続するための材料で、低抵抗かつ高信頼に接続できる。
2030年のグループ内適用目指す：
三菱電機は2026年6月4日、バイオマス度40％以上で耐熱性、流動性も兼ね備えたエポキシ樹脂を開発したと発表した。SEMI-IPN構造などによってTg180℃以上や高い流動性を実現。2030年を目標に、半導体やモーターなど三菱グループ製品への適用を目指す。
JPCA Show 2026：
京セラは「JPCA show 2026」に出展し、先端半導体パッケージ向け多層セラミックコア基板を紹介した。大型パッケージ基板のコア材として用いることを想定したもので、高剛性／高強度の独自セラミック材料によって、基板の反りや割れを抑制できる。焼結前のビア加工により、配線微細化にも貢献する。
東大ベンチャーと協業：
三井金属は「JAPCA Show 2026」（2026年6月10〜12日、東京ビッグサイト）に出展し、東京大学発ベンチャーGaianixxと協業のもと立ち上げ中のLN／LT単結晶薄膜事業などを紹介した。次世代通信向けSAWデバイス用単結晶薄膜、光通信デバイス用単結晶薄膜などの用途を想定し、2026年以降の実用化を目指す。
解説／分析
通期業績も増益修正：
レゾナックは、2026年12月期中間期（2026年1〜6月）の決算を発表した。売上高は6768億5200万円で前年同期比5.4％増、営業利益（国際会計基準［IFRS］ではコア営業利益）は887億5300万円で同156.5％増、純利益は484億5100万円で同146.5％増だった。けん引するのが半導体・電子材料で、特に後工程材料はAI需要などで前年同期比46％増収を果たした。
湯之上隆のナノフォーカス（94）：
筆者は中東情勢悪化に伴うヘリウム（He）、ナフサ、フォトレジストのサプライチェーンの混乱は、半導体工場停止の危機を招くと警鐘した。ただ、実際には半導体工場が停止したという報告は見当たらない。なぜ最悪のシナリオが回避されているのか、その理由を論じる。その上で、特にHeの供給が綱渡りになる可能性を指摘する。
福田昭のデバイス通信（520） 2026年度版実装技術ロードマップ（3）：
「2026年度版 実装技術ロードマップ」（JEITA発行）の「第2章 注目される市場と電子機器群」を引き続き紹介する。今回は、海外の取り組みとの比較や、電子機器群の分類／定義について取り上げる。
市場／設備投資
30年までに売上高2倍目指す：
富士フイルムは2026年8月21日、大分工場（大分県大分市大字下郡）内に建設していたポストCMPクリーナー製造用の新棟が竣工したと発表した。最先端半導体材料に対応した生産設備、評価機器を導入し、大分工場の製造能力を3倍に拡大できるという。
ビッグテックで採用進む：
三井金属は、AIインフラ向けに需要が増加している銅箔製品の生産能力を、2028年以降継続的に増強する。2031年以降にはマレーシア工場の近傍に新たに土地を取得し、さらなる需要拡大に対応する計画だ。
PDSと東レリサーチセンターが連携：
Power Diamond Systemsと東レリサーチセンターは、次世代ダイヤモンド半導体デバイスの評価に関する共同研究を開始した。ナノスケールで材料の微細構造や界面、不純物、欠陥などを解析し、デバイス性能や信頼性との関係を明らかにすることで、実用化／量産化に向けた開発を加速する。
10億円投資で生産ライン増設：
ADEKAは先端フォトレジスト向け光酸発生剤（PAG）の生産増強を発表した。千葉工場（千葉県袖ケ浦市）の既存建屋内に生産ラインを増設する計画で、生産能力は約2倍になる見込みだ。
福島第二工場で設備増強：
日本化学工業は、福島第二工場で生産設備を増強し、「高純度赤燐」を増産する。高純度赤燐は、半導体ドーパント材料やインジウムリン（InP）系化合物半導体材料として用いられている。設備増強分は2027年度中に稼働予定で、生産能力は現行に比べ約60％増える。
静電チャックやAD部材の開発加速：
TOTOは、TOTO茅ケ崎工場（神奈川県茅ケ崎市）敷地内にセラミック事業の研究開発棟を建設すると発表した。2028年4月に竣工の予定で、投資額は約170億円。
CuspAIやNVIDIAらと協業：
三井化学は、生成AIを活用して新材料の開発を加速するための国際的なネットワーク「AI Materials Foundry」に、創設メンバーとして参画した。このネットワークには、NVIDIAやMeta、Samsung、Henkel、Applied Materials、東京エレクトロン、Lam Researchなど、45を超える企業や研究機関が参画している。
韓国JX金属に約40億円を投資：
JX金属は、韓国JX金属で約40億円の設備投資を行い、「半導体用スパッタリングターゲット」の加工能力を増強する。増強部分は2027年度下期の稼働を予定していて、生産能力は2025年度に比べ約2倍に増える。
稼働予定は2028年12月頃：
住友ベークライトは2026年6月25日、中国グループ会社で半導体封止材を製造する蘇州住友電木において、生産ラインを増強し、生産能力を約30％増強すると発表した。稼働開始は2028年12月頃を予定する。
26年内に徳山事業所で製造開始：
レゾナックは、半導体回路のエッチング工程で用いられる高純度フッ化水素ガス（HFガス）の製造体制を強化する。2026年内に徳山事業所（山口県周南市）で製造を始める。これにより、同社のHFガス国内製造拠点は川崎事業所との2拠点体制となる。
感光性DFRの供給体制を強化：
旭化成の台湾子会社「華旭科技」に建設していた新工場が竣工した。新工場の稼働により、華旭科技全体で感光性ドライフィルムレジスト（DFR）「サンフォート」をスリット加工する生産能力が約1.4倍に拡大する。
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