メモリ/ストレージ

DRAM、フラッシュメモリ、次世代メモリからHDD/SSDなどストレージ関連情報の一覧です。

ニュース

メモリ

NAND市場「26年も需要が供給超え」：

キオクシアは2期連続で過去最高更新へ、AI需要追い風

キオクシアホールディングスは、2025年度通期の売上高が2兆1798億～2兆2698億円、Non-GAAP営業利益が7170億～8070億円、Non-GAAP当期純利益が4597億～5197億円と増収増益になり、2期連続で過去最高になる見通しだと発表した。

（2026年02月13日）

ニュース

メモリ

26年後半にはHBM4Eサンプル出荷：

「業界初」SamsungがHBM4の量産、出荷開始

（2026年02月12日）

特集

業界動向,メモリ

今が「最後のチャンス」？：

欧州に半導体サプライチェーンは戻るか　ドイツ発メモリ新興が鍵

（2026年02月12日）

ニュース

メモリ

TrendForce調査：

26年メモリ市場は134％成長ファウンドリー市場の2倍超に

（2026年02月10日）

コラム

メモリ,LSI

電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記：

26年1QにDRAM価格は9割超上昇へ、ソニーらの決算にみる波及の形

（2026年02月09日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（306）：

HDD大手WDの四半期業績、売上高が3四半期連続で前期を超える

（2026年02月09日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（305）：

HDD大手Seagateの四半期業績、11年ぶりに利益率が過去最高を更新

（2026年02月04日）

ニュース

メモリ

性能と熱のトレードオフを突破：

SAIMEMORYの新構造メモリ　低消費電力に焦点

（2026年02月03日）

ニュース

メモリ

DRAMの発展形で新技術も採用：

Intelとソフトバンク子会社が次世代メモリ開発へ　29年度に実用化

（2026年02月03日）

ニュース

企業動向,メモリ

2026年4月に就任予定：

AI時代のニーズ捉え開発加速、キオクシア次期社長の展望

（2026年01月30日）

ニュース

企業動向,メモリ

早坂氏はアドバイザーに：

キオクシア、26年4月に社長交代　後任は太田副社長

（2026年01月29日）

ニュース

メモリ

「AI戦略のハブ」に：

SK hynix、米国にAIソリューション特化の新会社設立

（2026年01月29日）

ニュース

メモリ

AI需要に向け、28年に生産へ：

MicronがシンガポールにNAND新工場建設へ　240億ドル投資

（2026年01月28日）

ニュース

メモリ

USB Type-Aポートに直接挿す：

ラズパイ純正USBフラッシュメモリ登場　128GBが30ドル

（2026年01月27日）

ニュース

先端技術,メモリ

大容量のニアラインHDD開発へ：

東芝、MAS-MAMR技術実用化に貢献する新技術

（2026年01月26日）

ニュース

業界動向,メモリ,LSI

AI需要やメモリ価格高騰で：

世界半導体市場、26年に初の1兆ドル超へ

（2026年01月21日）

ニュース

M＆A,メモリ

27年後半からDRAM生産大幅増へ：

MicronがPSMCの300mm工場を18億ドルで買収へ

（2026年01月19日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（304）半導体メモリの行方をアナリストが解説（7）：

メモリとストレージの動向を示す11個のキーワード（後編）

（2026年01月14日）

ニュース

メモリ

Counterpoint Research調べ：

DRAM市場でSamsungが王座奪還、SK hynixは2位に 25年4Q

（2026年01月13日）

コラム

メモリ,LSI

電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記：

王者SK hynixは16層HBM4「初公開」でアピール、競争過熱のメモリ業界

（2026年01月13日）

ニュース

メモリ

CES 2026：

CESで繰り広げられたHBM4開発競争　Samsungも巻き返しアピール

（2026年01月13日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（303）半導体メモリの行方をアナリストが解説（6）：

メモリとストレージの動向を示す11個のキーワード（前編）

（2026年01月09日）

ニュース

メモリ

一部顧客に対しサンプル出荷開始：

第8世代BiCS FLASH初搭載のクライアントPC向けSSD、キオクシア

（2026年01月08日）

ニュース

メモリ

AIブームが業界に与える影響：

MicronがPSMCの工場買収を画策？中国CXMT躍進……メモリ業界の最新動向

（2026年01月08日）

ニュース

トップニュース,統計,メモリ

TrendForce最新予測：

DRAM契約価格さらに55～60％上昇へ　2026年1～3月

（2026年01月07日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（302）：

Micronの四半期業績、営業利益が7年振りに過去最高を更新

（2025年12月24日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（301）半導体メモリの行方をアナリストが解説（5）：

2026年のHBM市況、カギを握るのは最新世代「HBM4」

（2025年12月19日）

ニュース

メモリ

メモリセル積層化によるコスト増を抑制：

高密度／低消費電力3D DRAMの実用化に前進　キオクシアが基盤技術を発表

（2025年12月15日）

連載

メモリ

福田昭のストレージ通信（300）半導体メモリの行方をアナリストが解説（4）：

半導体メモリの地域別市場で2番目に大きくなった中国の現状

（2025年12月12日）

連載

メモリ

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：

DDR5の異常な価格急騰はなぜ起きた？推測できるシナリオは

（2025年12月10日）

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26年後半にはHBM4Eサンプル出荷：

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DRAMの発展形で新技術も採用：

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早坂氏はアドバイザーに：

「AI戦略のハブ」に：

AI需要に向け、28年に生産へ：

USB Type-Aポートに直接挿す：

大容量のニアラインHDD開発へ：

AI需要やメモリ価格高騰で：

27年後半からDRAM生産大幅増へ：

福田昭のストレージ通信（304） 半導体メモリの行方をアナリストが解説（7）：

Counterpoint Research調べ：

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福田昭のストレージ通信（303） 半導体メモリの行方をアナリストが解説（6）：

一部顧客に対しサンプル出荷開始：

AIブームが業界に与える影響：

TrendForce最新予測：

福田昭のストレージ通信（302）：

福田昭のストレージ通信（301） 半導体メモリの行方をアナリストが解説（5）：

メモリセル積層化によるコスト増を抑制：

福田昭のストレージ通信（300） 半導体メモリの行方をアナリストが解説（4）：

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：

電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記：

福田昭のストレージ通信（304）半導体メモリの行方をアナリストが解説（7）：

電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記：

福田昭のストレージ通信（303）半導体メモリの行方をアナリストが解説（6）：

福田昭のストレージ通信（301）半導体メモリの行方をアナリストが解説（5）：

福田昭のストレージ通信（300）半導体メモリの行方をアナリストが解説（4）：