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メモリ/ストレージ

DRAM、フラッシュメモリ、次世代メモリからHDD/SSDなどストレージ関連情報の一覧です。

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ニュース
メモリ
1Tビット、25年上期に供給へ:

SK hynixが321層のNAND型フラッシュメモリを「世界で初めて」(同社)量産開始した。TLC方式で、容量は1Tビット。2025年上期に顧客へ供給予定だという。

(2024年11月22日)
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連載
メモリ
福田昭のストレージ通信(270):
(2024年11月15日)
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連載
メモリ
福田昭のストレージ通信(269):
(2024年11月08日)
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連載
メモリ
福田昭のストレージ通信(268):
(2024年11月05日)
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連載
メモリ,LSI
大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
(2024年10月24日)
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ニュース
メモリ
IEDM 2024で3本の論文を発表へ:
(2024年10月23日)
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ニュース
メモリ
EEPROMとフラッシュの特長を生かす:
(2024年10月22日)
ニュース
メモリ
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最大42.5Gbpsの高速転送も:
(2024年10月18日)
ニュース
メモリ
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クラウド向けに優れた性能を実現:
(2024年10月17日)
ニュース
企業動向,メモリ
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「ウエハーから着想」:
(2024年10月09日)
ニュース
メモリ
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8層品と同じ厚さで容量50%増:
(2024年09月27日)
ニュース
メモリ,電源
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かつての主要DRAMメーカー:
(2024年08月26日)
ニュース
企業動向,メモリ
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2025年1月から:
(2024年08月21日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(267):
(2024年08月20日)
特集
メモリ,プロセス技術
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米新工場の立ち上げが遅延:
(2024年08月16日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(266):
(2024年08月15日)
ニュース
デバイス,メモリ
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クイズで学ぶ! 半導体業界:
(2024年08月15日)
ニュース
メモリ
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顧客在庫正常化や需要回復が寄与:
(2024年08月09日)
ニュース
メモリ
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クラス最高レベルの性能を実現:
(2024年08月08日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(265):
(2024年08月06日)
ニュース
メモリ
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29年までCAGR16%で成長へ:
(2024年08月06日)
ニュース
業界動向,メモリ
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「龍仁半導体クラスタ」に:
(2024年08月01日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(264):
(2024年07月30日)
ニュース
メモリ
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Micronがサンプル出荷を開始:
(2024年07月26日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(263):
(2024年07月18日)
特集
メモリ
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「HBM4」を2025年に発表へ:
(2024年07月16日)
ニュース
メモリ
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アモルファスアルミ酸化物ReRAM:
(2024年07月11日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(262):
(2024年06月21日)
ニュース
メモリ,LSI
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Samsung/SK hynixが矢面に:
(2024年06月19日)
ニュース
メモリ
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仮想化と4ポート搭載で:
(2024年06月11日)

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